[实用新型]一种容量为16M×16bit的立体封装NOR FLASH存储器有效
| 申请号： | 201320682874.0 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203760449U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王烈洋;叶振荣;黄小虎;蒋晓华;颜军 | 申请（专利权）人： | 珠海欧比特控制工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519080 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 容量 16 bit 立体 封装 nor flash 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种容量为16M×16bit的立体封装NOR FLASH存储器，其特征在于，包括四个4Mb×16bit的NOR FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
2.根据权利要求1所述的一种容量为16M×16bit的立体封装NOR FLASH存储器，其特征在于，四个NOR FLASH芯片的字节/字选择信号线、忙信号输出信号线、数据线分别对应复合；四个NOR FLASH芯片的片选信号线、写保护/加速线分别并置。
3.根据权利要求1或2所述的一种容量为16M×16bit的立体封装NOR FLASH存储器，其特征在于，所述NOR FLASH芯片采用存储容量为4Mb、数据总线宽度为16位的TSOP-48的封装NOR FLASH芯片。
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