[实用新型]有机电致发光二极管并联结构型的复合发光器件有效
申请号: | 201320674901.X | 申请日: | 2013-10-30 |
公开(公告)号: | CN203596354U | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 吴晓亮;孙文兵;汤梅;孙亮亮;周鹏超;朱文清 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 二极管 联结 构型 复合 发光 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体发光器件,特别是涉及一种OLED器件,属于有机电致发光发光器件技术领域,应用于显示及照明领域方面。
背景技术
OLED器件具有主动发光,抗震性好,视角广,操作温度宽,对比度高,可柔性化显示等特点,是显示及照明领域最有发展前途的发光显示器件。
近年来对与OLED器件的发光效率、亮度、寿命的研究都有了一定的进展,其主要方法都是从更换材料,调节载流子运输机制等方面得到对器件性能的改善。对与器件机构没有太大变化,在专利或文献报道中除了一般常见的顶发射和底发射器件以外,还有一部分串联器件,Jones等(美国专利第6,337,492号)、Tanaka等(美国专利第6,107,734号)、Kido等(日本专利第20031045676A号公报和美国专利第200310189401A1号公报)以及Liao等(美国专利第6,717,358号和美国专利第200310170491A1号公报)己公开了串联OLED结构(有时称为堆叠式OLED(stacked OLED)或级联式OLED (cascaded OLED))。串联OLED通过垂直堆叠若干单个的OLED单元并使用一个电源来驱动该堆叠体而制造。其优点在于可提高发光效率和或使用寿命。然而,串联结构需要提高驱动电压,使其基本与堆叠在一起的OLED单元数成正比。
Matsumoto和Kido等(SID 03 Digest 979(2003)中报道了通过在器件中连接蓝绿色EL单元与橙色EL单元而构造串联白色OLED,和通过使用一个电源驱动器件来实现白光发射。虽然发光效率得到提高,但是此串联白色OLED器件在光谱中具有较弱的绿色和红色分量。Liao等在美国专利第200310170491A1号公报中描述了通过在器件内将红色EL单元、绿色EL单元和蓝色EL单元串联连接而获得的串联白色OLED结构。当串联白色OLED由一个电源驱动时,通过红色、绿色和蓝色EL单元的光谱组合而产生白光发射。但串联器件制作困难,且也具有上述缺点。
实用新型内容
为了解决现有技术问题,本实用新型的目的在于克服已有技术存在的缺陷,针对目前OLED器件的开启电压较高较难改进的问题且制造白光OLED时各发光层容易相互影响的问题而做出的改进,提供一种有机电致发光二极管并联结构型的复合发光器件。由上述背景技术中得到串联型器件对于降低开启电压的要求是相背离的,因此我们考虑了并联型组合,发挥其并联器件的独立性,避免电学上的相互影响,在可以降低开启电压的情况下,为调节白光器件中不同颜色的发光层提供方便。
为达到上述实用新型创造目的,本实用新型采用下述技术方案:
一种有机电致发光二极管并联结构型的复合发光器件,每个发光单元均由两个以上的有机电致发光二极管单元并联堆叠组合而成,其中既包括顶发射结构型发光二极管单元,还包括底发射结构型发光二极管单元,在同一个发光单元中的各个有机电致发光二极管单元依次以顶发射结构型和底发射结构型进行间隔式的堆叠连接设置,在同一个发光单元的各个有机电致发光二极管单元共用同一个基板,并在基板的同一侧进行并联型结构设置,即,在同一个发光单元的所有的有机电致发光二极管单元分别共用阳极和阴极,在基板上形成共同阳极节点和共同阴极节点,其中与基板紧邻的为底发射结构型发光二极管单元,再在底发射结构型发光二极管单元之上堆叠设置顶发射结构型发光二极管单元,在基板上形成发光单元的一个底发射结构型发光二极管单元的透明阳极,透明阳极采用透明导电材料制成,在同一个发光单元中,任意相邻的两个有机电致发光二极管单元之间共用同一个采用透明导电材料或半透明导电材料制成的电极功能层,即发光单元在基板上堆叠设置的最上层的电极形成全反射电极,使发光单元最终实现并联方式连接的叠层发光器件,通过驱动发光单元中不同颜色的有机电致发光二极管单元实现叠层复合发光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的