[实用新型]一种SE太阳能电池有效
申请号: | 201320673519.7 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN203607424U | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 童锐;张小刚;储凤舞;杨大谊 | 申请(专利权)人: | 太极能源科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 215333 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 se 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,涉及一种SE太阳能电池。
背景技术
目前,发展高效电池技术是提高太阳能电池效率的关键。比较成熟的高效电池技术以选择性发射极(selective emitter,SE)电池为主。SE电池是选择性扩散电池,有两个特征:1)在栅线接触区域(栅线下及其附近)形成高掺杂深扩散区;2)在光照区域形成低掺杂浅扩散区。通过对发射区选择性掺杂,在栅线接触区域和其他区域实现不同扩散方阻的效果,降低了串联电阻。其中,金属化区域(栅线接触区)掺杂浓度高,结深大,烧结过程中金属等杂质不易进入耗尽区形成深能级,反向漏电小,并联电阻高;光照区域掺杂浓度低,短波响应好,短路电流高;横向扩散高低结前场作用明显,利于光生载流子收集等优点。
常规电池片制程(以P型硅片为例)包括以下工艺步骤:硅片-制绒-扩散-刻蚀-镀膜-印刷-烧结。现有的几种制作SE电池的方法如下:
(1)常规扩散(轻扩散,高阻值)后在硅片正面沿细栅线进行激光处理,使细栅线区域方阻低于其他区域,其他制程不变,以得到SE电池;
(2)常规制程制绒,扩散(轻扩散,高阻值),刻蚀,镀膜后,沿细栅线区域喷磷浆,再用激光处理进行二次扩散,然后丝网印刷,烧结得到SE电池。
(3)常规制程制绒,扩散,刻蚀,镀膜后,先沿细栅线印刷磷浆,再经过高温在细栅线区域进行二次扩散,然后丝网印刷,烧结得到SE电池。
目前单晶电池制绒采用的是碱制绒技术,形成金字塔结构;多晶电池制绒采用的是酸制绒技术,形成蜂窝状的绒面结构;这两种绒面结构对于印刷烧结时浆料和硅片的接触性来说,多晶的蜂窝状结构和正银浆料的欧姆接触较好,接触电阻(Rs)较低,而单晶金字塔绒面结构的光吸收更好,转换效率更高。二者性能不能兼顾。
因此,提供一种新的SE太阳能电池以同时提高光吸收率和降低接触电阻,综合提高电池性能实属必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种SE太阳能电池,用于解决现有技术中的SE太阳能电池光吸收不好、电极接触电阻高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种SE太阳能电池,包括:
第一类型半导体衬底;
第二类型轻掺杂层,形成于所述第一类型半导体衬底表面;
第二类型重掺杂层,包括若干分立排列的第二类型重掺杂区;所述第二类型重掺杂区形成于所述第二类型轻掺杂层中并深入所述第二类型轻掺杂层下方的第一类型半导体衬底内;
若干上电极,形成于所述重掺杂层表面;
减反射膜,形成于所述上电极之间的第二类型轻掺杂层表面;
下电极,形成于所述第一类型半导体衬底背面;
所述上电极与所述第二类型重掺杂层的接触面为蜂窝状绒面结构;所述上电极之间的第二类型轻掺杂层及减反射膜表面为金字塔绒面结构。
可选地,所述第一类型半导体衬底为单晶硅衬底。
可选地,所述第二类型重掺杂区为长条状。
可选地,所述减反射膜为氮化硅层。
可选地,所述第二类型轻掺杂层与所述第一类型半导体衬底之间形成第一PN结,所述第二类型重掺杂层与所述第一类型半导体衬底之间形成第二PN结,所述第二PN结的结深大于所述第一PN结的结深。
可选地,所述上电极的材料包括Ag;所述下电极的材料包括Ag及Al中的一种或多种。
如上所述,本实用新型的SE太阳能电池,具有以下有益效果:本实用新型通过改善SE太阳能电池的绒面结构,形成蜂窝状/金字塔复合绒面结构,从而提高SE太阳能电池的效率。本实用新型的SE太阳能电池中,上电极与半导体衬底的接触面为蜂窝状绒面结构,接触更加良好,接触电阻低,而光照区域表面为金字塔绒面结构,光吸收更好,从整体上提升电池光电转换效率。
附图说明
图1显示为本实用新型的SE太阳能电池的结构示意图。
元件标号说明
1 第一类型半导体衬底
2 蜂窝状绒面结构
3 金字塔绒面结构
4 第二类型轻掺杂层
5 第二类型重掺杂层
6 减反射膜
7 上电极
8 下电极
具体实施方式
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