[实用新型]铜膜厚测量标准片有效
| 申请号： | 201320672758.0 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN203642899U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘媛娜;尹正朝;侯大维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/08 | 分类号： | G01B21/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜膜厚 测量 标准 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜膜厚测量标准片，其特征在于，所述标准片包括衬底、介质层、预定厚度的铜膜以及保护层，所述介质层形成于所述衬底上，所述铜膜形成于所述介质层上，所述保护层形成于所述铜膜上。
2.如权利要求1所述的铜膜厚测量标准片，其特征在于，所述保护层覆盖所述铜膜以及介质层。
3.如权利要求1所述的铜膜厚测量标准片，其特征在于，所述介质层包括第一介质层和第二介质层，所述铜膜位于所述第一介质层上并位于所述第二介质层中。
4.如权利要求3所述的铜膜厚测量标准片，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的材质均为二氧化硅。
5.如权利要求1所述的铜膜厚测量标准片，其特征在于，所述保护层的材质是掺氮的碳化硅。
6.如权利要求1所述的铜膜厚测量标准片，其特征在于，所述衬底是硅衬底。
7.如权利要求1所述的铜膜厚测量标准片，其特征在于，所述铜膜的形状是直径10～20mm的圆形。
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