[实用新型]具有金属反射层的半导体发光器件有效
| 申请号： | 201320669246.9 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN203659930U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王冬雷;廖汉忠 | 申请（专利权）人： | 大连徳豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 116100 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 金属 反射层 半导体 发光 器件 | ||
1.具有金属反射层的半导体发光器件，包括：衬底，形成于所述衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层或P型半导体层上的线接合焊盘；
其特征在于，还包括
与所述线接合焊盘相接触的金属反射层，所述金属反射层的厚度为50～1000纳米。
2.如权利要求1所述的具有金属反射层的半导体发光器件，其特征在于：所述金属接触层由银、镍金属层组成或由铝、镍金属层组成或由银、铝金属层组成或为铑金属层。
3.如权利要求1所述的具有金属反射层的半导体发光器件，其特征在于：所述金属反射层的厚度为50～300纳米。
4.如权利要求1或2或3所述的具有金属反射层的半导体发光器件，其特征在于：所述P型半导体层上设置有第一金属接触层，所述线接合焊盘设置于所述第一金属接触层上，所述金属反射层设置于所述第一金属接触层与所述线接合焊盘之间。
5.如权利要求4所述的具有金属反射层的半导体发光器件，其特征在于：所述衬底下方设置有第二金属接触层。
6.如权利要求4所述的具有金属反射层的半导体发光器件，其特征在于：所述金属反射层由银金属层和镍金属层组成，所述银金属层设置于所述线接合焊盘下方，所述镍金属层设置于所述银金属层与所述第一金属接触层之间。
7.如权利要求1或2或3所述的具有金属反射层的半导体发光器件，其特征在于：所述P型半导体层上设置有第一金属接触层，所述线接合焊盘设置于所述第一金属接触层上，所述金属反射层设置于所述第一金属接触层与所述线接合焊盘之间；所述N型半导体层上设置有线接合焊盘，在线接合焊盘与N型半导体层之间设置有金属反射层。
8.如权利要求7所述的具有金属反射层的半导体发光器件，其特征在于：所述金属反射层由铝金属层和镍金属层组成，所述铝金属层设置于所述线接合焊盘下方，所述镍金属层设置于所述铝金属层与所述第一金属接触层及所述铝金属层与N型半导体层之间。
9.如权利要求1或2或3所述的具有金属反射层的半导体发光器件，其特征在于：所述金属反射层覆盖于所述线接合焊盘除用于打线连接区域外的外围。
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