[实用新型]射频信号输出模块单刀单掷开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种射频信号输出模块单刀单掷开关。

背景技术

随着人们生活水平的不断提高和现代通信技术的深入发展，手机、电话等移动通信终端之类的通信设备正在向小型化和低能耗发展，这就要求通信设备内的每个组件都采用小型化设计，尽量控制器其尺寸、重量和厚度，同时也要尽量减少组件数量及组件功率消耗。

射频信号输出模块主要可实现对输入信号进行放大和脉冲调制等功能，是射频通信设备中不可或缺的组成部分，其中，单刀单掷开关用以实现射频信号输出模块脉冲调制功能。在目前的微波通讯系统中，功率开关通常采用两种形式：（1）采用分立的硅材料的PIN二极管，采用混合电路的方式实现，其缺点是体积大，工作频率窄且控制电路复杂。（2）采用砷化镓（GaAs）赝配高电子迁移率晶体管单片开关，高电子迁移率晶体管开关具有体积小、应用频带宽等特点，但是，通过的功率相对较小。除此之外，现有的功率开关还具有损耗大、隔离度不理想、输入输出驻波比大和开关响应时间长等缺点，随着现代通信技术的不断发展和人们对通信质量要求地日益苛刻，传统的功率开关已不能满足实际使用的需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决现有技术的不足，提供一种损耗小、高隔离、驻波小、开关响应时间短的射频信号输出模块单刀单掷开关。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：射频信号输出模块单刀单掷开关，它包括依次串联的电容C1、PIN二极管D1、PIN二极管D2和电容C2，PIN二极管D2上并联有匹配电阻R1，电容C1与PIN二极管D1的正极连接，PIN二极管D1的正极还与电感L1的一端连接，电感L1的另一端接地，PIN二极管D1的负极与PIN二极管D2的正极之间依次并联有PIN二极管D3、D4、D5和D6，PIN二极管D3、D4、D5和D6的负极分别接地，PIN二极管D2的负极与电容C2连接，PIN二极管D2的负极还与电感L2的一端连接，电感L2的另一端通过电容C3接地，电感L2的另一端还与偏置电压输入相连。

本实用新型所述的PIN二极管均采用DSM8100-000。

本实用新型的有益效果是：增设的并联型PIN二极管，采用一串四并式二极管分布，提高了开关电路的隔离度，吸收式设计改善了开关电路的阻抗匹配，同时还具有损耗小、隔离度高、驻波小、响应时间短、脉冲调制效果好等特点。 

附图说明

图1为本实用新型电路原理示意图。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案：如图1所示，射频信号输出模块单刀单掷开关，它包括依次串联的电容C1、PIN二极管D1、PIN二极管D2和电容C2，PIN二极管D2上并联有匹配电阻R1，电容C1与PIN二极管D1的正极连接，PIN二极管D1的正极还与电感L1的一端连接，电感L1的另一端接地，PIN二极管D1的负极与PIN二极管D2的正极之间依次并联有PIN二极管D3、D4、D5和D6，PIN二极管D3、D4、D5和D6的负极分别接地，PIN二极管D2的负极与电容C2连接，PIN二极管D2的负极还与电感L2的一端连接，电感L2的另一端通过电容C3接地，电感L2的另一端还与偏置电压输入相连。其中， PIN二极管均采用DSM8100-000。本单刀单掷开关所达技术指标如下：频率：5.4～5.8GHz；损耗：≤1.8dB；驻波：≤1.5；隔离：≥80dB；开关时间：≤30ns。