[实用新型]一种激光雕刻屏蔽膜有效

专利信息
申请号: 201320666223.2 申请日: 2013-10-28
公开(公告)号: CN203840698U 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 朱向忠 申请(专利权)人: 朱向忠
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 广东国晖律师事务所 44266 代理人: 谭宗成
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光雕刻 屏蔽
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种屏蔽膜,尤其涉及一种用于激光雕刻的屏蔽膜。

背景技术

    随着电子产品的发展,屏蔽越来越广泛应用于电子产品及工业生产中。目前的屏蔽通常不具备标注信息和信息存储的功能,需要经过二次处理后才具有一定的存储信息的功能。这种二次处理通常为在其表面设置一层标注层,这种屏蔽膜使用过程中容易刮花,使标注信息容易丢失。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是:构建一种激光雕刻屏蔽膜,克服现有技术屏蔽膜不具备激光雕刻层,导致使用效果不佳的技术问题。 

本实用新型的技术方案是:构建一种激光雕刻屏蔽膜,依次包括保护层、用于激光雕像的金属膜层、用于粘接的第一胶黏层、屏蔽电磁波的屏蔽层、用于粘接的第二胶黏层。

本实用新型的进一步技术方案是:所述保护层为涂布在所述金属膜层上的保护涂层。

本实用新型的进一步技术方案是:所述金属膜层通过的所述第一胶黏层与所述屏蔽层粘接。

本实用新型的进一步技术方案是:还包括离型层,所述离型层与所述第二胶黏层粘接。

本实用新型的进一步技术方案是:所述保护层的厚度范围为0.05 um至20um。

本实用新型的进一步技术方案是:所述金属膜层的厚度范围为0.5 um 至500um。

本实用新型的进一步技术方案是:所述第一胶黏层的厚度范围为0.5 um 至100um。

本实用新型的进一步技术方案是:所述屏蔽层的厚度范围为5um 至500um。

本实用新型的进一步技术方案是:所述第二胶黏层的厚度范围为1um 至100um。

本实用新型的进一步技术方案是:所述离型层的厚度范围为1um 至100um。 

本实用新型的技术效果是:构建一种激光雕刻屏蔽膜,依次包括保护层、用于激光雕像的金属膜层、用于粘接的第一胶黏层、屏蔽电磁波的屏蔽层、用于粘接的第二胶黏层。本实用新型的激光雕刻屏蔽膜,经过此类处理后,可直接进行印刷以及激光雕刻等人为的信息存储,不需要对制作完成的材料进行再处理后再进行信息的存储。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例,对本实用新型技术方案进一步说明。

如图1所示,本实用新型的具体实施方式是:构建一种激光雕刻屏蔽膜,依次包括保护层1、用于激光雕像的金属膜层2、用于粘接的第一胶黏层3、屏蔽电磁波的屏蔽层4、用于粘接的第二胶黏层5。

如图1所示,本实用新型的具体实施过程是:构建一种激光雕刻屏蔽膜,制作时,采用导电布、覆PET膜的铝箔和铜箔中的任何一种形成屏蔽电磁波的所述屏蔽层4,所述屏蔽层4的厚度范围为5um 至500um,在屏蔽电磁波的屏蔽层4的一面涂覆第一胶黏层3,然后将用于激光雕像的金属膜层2与所述第一胶黏层3贴合,即,所述金属膜层2通过的所述第一胶黏层3与所述屏蔽层4粘接,所述金属膜层2为可用于激光雕刻的金属膜层材料形成,所述第一胶黏层3的厚度范围为0.5 um 至100um。在所述金属膜层2设置保护层1,用于保护金属膜层2,所述金属膜层2的主要作用用于激光雕刻,存储激光雕刻的信息,同时也对激光雕刻屏蔽膜的屏蔽效能有一定的增强性,所述金属膜层2的厚度范围为0.5 um 至500um。同时也反衬所述金属膜层2的激光雕刻信息。在所述屏蔽层4的另一面设置用于粘接的第二胶黏层5,所述第二胶黏层5用于与离型层6或其它载体粘接,所述第二胶黏层5的厚度范围为1um 至100um。具体实施例中,所述保护层1为涂布在所述金属膜层2上的保护涂层,所述保护层1的材料包括:水性涂料、油性涂料、UV类涂料等透明度非常好的涂料,用于保护用于激光雕像的金属膜层2。所述保护层1的厚度范围为0.05 um至20um。所述第一胶黏层3和所述第二胶黏层5为压敏胶等胶黏材料制作。

如图1所示,本实用新型的优选实施方式是:还包括离型层6,所述离型层6与所述第二胶黏层5粘接。所述离型层6的厚度范围为1um 至100um。第一离型层6为涂覆二甲基硅油的PET树脂膜、格拉辛纸、牛皮纸中任意一种形成。 

本实用新型的技术效果是:构建一种激光雕刻屏蔽膜,依次包括保护层1、用于激光雕像的金属膜层2、用于粘接的第一胶黏层3、屏蔽电磁波的屏蔽层4、用于粘接的第二胶黏层5。本实用新型的激光雕刻屏蔽膜,经过此类处理后,可直接进行印刷以及激光雕刻等人为的信息存储,不需要对制作完成的材料进行再处理后再进行信息的存储。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。

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