[实用新型]有源矩阵有机发光二极管显示器件、显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 201320660531.4 | 申请日: | 2013-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN203521419U | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
| 发明(设计)人: | 张晨;李延钊;孙力;吴仲远;刘则;解红军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 孟宪功 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有源 矩阵 有机 发光二极管 显示 器件 面板 显示装置 | ||
1.一种有源矩阵有机发光二极管显示器件,包括形成在基板上的薄膜晶体管,在所述薄膜晶体管上依次形成有像素电极层、发光层及彩膜层,其特征在于,在所述发光层及彩膜层之间设有用于使所述发光层与空气隔离的第一封装层,在所述彩膜层上覆盖有用于使所述彩膜层与空气隔离的第二封装层。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:
形成在所述基板上的栅极;
覆盖在所述栅极上并延伸至所述基板上的栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上形成的并位于所述栅极上方的有源层;
在所述有源层上形成的阻挡层;
在阻挡层上形成的并延伸至所述有源层及栅极绝缘层上的源极及漏极;
在所述源极、漏极、阻挡层及栅极绝缘层上覆盖的钝化层。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极管显示器件,其特征在于,在所述钝化层上形成所述像素电极层,所述像素电极层与所述源极或漏极连接;在所述像素电极层的边缘覆盖有像素界定层,所述像素界定层延伸至所述钝化层上。
4.根据权利要求3所述的有源矩阵有机发光二极管显示器件,其特征在于,在所述像素电极层上形成所述发光层,所述发光层上覆盖有并延伸至所述像素界定层的第一封装层;所述彩膜层形成在所述第一封装层上,所述彩膜层上覆盖有并延伸至所述第一封装层上的第二封装层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的有源矩阵有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述第一封装层和第二封装层均为无机防水氧膜层,所述无机防水氧膜层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种,厚度为100~5000nm。
6.根据权利要求1-4任一项所述的有源矩阵有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述第一封装层和第二封装层均为有机层和无机层交叠的结构,所述无机层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种,厚度为100~500nm,所述有机层为亚克力或树脂材料,厚度为1000~5000nm;所述有机层和无机层交叠层数为1~5层。
7.根据权利要求1-4任一项所述的有源矩阵有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述彩膜层为RGB三色结构或RGBW四色结构。
8.根据权利要求7所述的有源矩阵有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述彩膜层为块状布置或条状布置。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的有源矩阵有机发光二极管显示器件。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





