[实用新型]一种新型出光结构的GaN基发光二极管有效
| 申请号： | 201320659636.8 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN203607445U | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;林振贤;林永祥;汪俊翰 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 gan 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型出光结构的GaN基发光二极管，其特征在于：包括在生长面设有多个凹形结构的衬底，衬底生长面依次生长有第一半导体载流子注入层、发光结构和第二半导体载流子注入层。
2.根据权利要求1所述的新型出光结构的GaN基发光二极管，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底、SiC衬底或Si衬底。
3.根据权利要求1或2所述的新型出光结构的GaN基发光二极管，其特征在于：所述衬底为平面衬底或图形化衬底。
4.根据权利要求1所述的新型出光结构的GaN基发光二极管，其特征在于：所述第二半导体载流子注入层上形成有与衬底对应的凹形结构。
5.根据权利要求1或4所述的新型出光结构的GaN基发光二极管，其特征在于：所述凹形结构为呈阵列分布的圆孔或凹槽。
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