[实用新型]LED芯片及具有该结构的阵列式LED芯片有效
| 申请号： | 201320659503.0 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN203659931U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 田艳红;汪延明;付宏威 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/02;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 具有 结构 阵列 | ||
1.一种LED芯片，包括：衬底(1)、形成于所述衬底(1)的顶面上的N型GaN层(2)、形成于所述N型GaN层(2)的顶面上的多量子阱层(3)、形成于所述多量子阱层(3)的顶面上的P型GaN层(4)；
其特征在于，
所述N型GaN层(2)包括形成于所述N型GaN层(2)顶面上位置相间的第一凹槽(21)和第二凹槽(22)；所述第一凹槽(21)包括N型电极(8)，所述N型电极(8)形成于所述第一凹槽(21)的顶面上；
所述第二凹槽(22)包括绝缘隔离层(5)、透明导电层(6)、P型电极(7)，所述绝缘隔离层(5)形成于所述第二凹槽(22)的槽底顶面上，所述透明导电层(6)形成于所述绝缘隔离层(5)上，所述P型电极(7)形成于所述透明导电层(6)的顶面上；
所述绝缘隔离层(5)延伸至所述P型GaN层(4)的顶面上；所述透明导电层(6)延伸至所述绝缘隔离层(5)外缘与所述P型GaN层(4)顶面外缘之间。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型电极(7)包括P型电极线(72)，所述P型电极线(72)布置于所述第二凹槽(22)内；所述N型电极(8)包括N型电极线(82)；所述N型电极线(82)布置于所述第一凹槽(21)内。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述N型电极(8)包括N型焊盘(81)，所述N型焊盘(81)设置于所述第一凹槽(21)的一端，并与所述N型电极线(82)相连；所述P型电极(7)还包括P型焊盘(71)，所述P型焊盘(71)设置于所述第二凹槽(22)的一端，并与所述P型电极线(72)相连。
4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，还包括钝化层(9)，所述钝化层(9)包覆所述LED芯片的上表面，并露出所述N型焊盘(81)和P型焊盘(71)。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘隔离层(5)透光波长为440～720nm。
6.一种阵列式LED芯片，包括衬底(1)和形成于所述衬底(1)的顶面上的多个单元(1’)，其特征在于，多个所述单元(1’)结构相同，所述单元(1’)结构为上述权利要求1～5所述LED芯片结构。
7.根据权利要求6所述的阵列式LED芯片，其特征在于，多个所述单元(1’)排布为方形、圆形、三角形或五角星形中的任一种。
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