[实用新型]一种LED外延结构

权利要求书

1.一种LED外延结构，包括在依次叠加设置的衬底、缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，其特征在于， 

N型GaN层包括第一N型层、第二N型层和第三N型层，各层均进一步包括交替设置的掺杂Si的GaN层和不掺杂的GaN层； 

所述第一N型层厚度为900～1000nm，所述掺杂Si的GaN层和所述不掺杂的GaN层的厚度比为2:1，交替周期为15～20； 

所述第二N型层厚度为1300～1400nm，所述掺杂Si的GaN层和所述不掺杂的GaN层的厚度比为3:1，交替周期为20～30； 

所述第三N型层厚度为200～300nm，所述掺杂Si的GaN层和所述不掺杂的GaN层的厚度比为1:1，交替周期为10～15； 

所述第一N型层靠近所述缓冲层设置； 

所述多量子阱层与所述P型GaN层之间还直接设置有U型超晶格层； 

所述P型GaN层包括依次设置的Mg掺杂GaN层、Mg掺杂AlInGaN层、Mg掺杂GaN层。 

2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述U型超晶格层为交替设置的Al_xGa_1-xN和GaN层，交替周期为4～8，单周期厚度为2～4nm，x=0.10～0.15。 

3.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一N型层中所述掺杂Si的GaN层和所述不掺杂的GaN层的厚度比为2:1，所述第二N型层中所述掺杂Si的GaN层和所述不掺杂的GaN层的厚度比为3:1，所述第三N型层中所述掺杂Si的GaN层和所述不掺杂的GaN层的厚度比为1:1。 

4.根据权利要求1-3任一所述的LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱层包括交替设置的In_xGa_1-xN层/GaN层，In_xGa_1-xN层的厚度为2～3nm，GaN层的厚度为8～10nm，交替周期为9～15，x=0.15～0.20。 

5.根据权利要求4所述的LED外延结构，其特征在于，所述P型GaN层中所述Mg掺杂GaN层的厚度为30～40nm；Mg掺杂AlInGaN层的厚度为10～20nm；Mg掺杂GaN层的厚度为150～200nm。 

6.根据权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，所述N型GaN层与所述多量子阱层之间还直接设置有浅阱层，所述浅阱层包括交替设置的InGaN层/GaN层，交替周期为2～4，InGaN层的厚度为4～6nm，GaN层的厚度为30～36nm。 

7.根据权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述P型GaN层上还直接设置有欧姆接触层，所述欧姆接触层为Mg掺杂的InGaN层，厚度为2～3nm。