[实用新型]太阳能电池电极有效
申请号: | 201320656030.9 | 申请日: | 2013-10-24 |
公开(公告)号: | CN203617301U | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 叶权华;郑飞 | 申请(专利权)人: | 中电电气(扬州)光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人: | 孙忠明 |
地址: | 211400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池电极,属于太阳能光伏电池制造技术领域。
背景技术
太阳能电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后,已经制成PN结,可以在光照下产生电流,为了将产生的电流导出,需要在电池表面上制作正、负两个电极。制造电极的方法很多,丝网印刷是目前制作太阳能电池电极最普遍的一种生产工艺。而丝网印刷工艺中最关键的工艺就是正面电极的制备,正面电极制备质量好坏严重影响电池转换效率。电极的主要作用是副栅线收集自由载流子,副栅线上收集的载流子都会流向主栅线,靠近主栅的副栅除了收集周边的载流子外还起到传导从远处副栅收集到的载流子到主栅的作用,所以越靠近主栅的副栅的电流越高。从理论上讲,电极条越宽,收集电子能力越强,传统电极的印刷图形的主栅线和副栅线一般都是长宽相等的长方形图形。根据上面的理论传统电极靠近主栅的副栅与远离主栅的副栅的电子收集能力相当,导致靠近主栅的副栅位置收集电子能力减弱,降低了电池转换效率。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种太阳能电池电极,解决现有电极的主栅线和副栅线因都是长宽相等的长方形图形,存在的上述不足,通过本实用新型提高自由载流子的收集能力,从而有效提高电池转换效率。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的,一种太阳能电池电极,电极中垂直于各主栅线的若干副栅线,其特征是,越接近主栅线的副栅线的宽度越大。
副栅线窄边宽度控制在10~30um, 宽边控制在50~100um。
主栅线两端宽度略大于中间的宽度。
本实用新型通过采取越接近主栅线的副栅线的宽度越大的设计,这样能提高自由载流子的收集能力,主要的好处表现在:1)电性能方面主要改善太阳能电池的串联电阻,提高电池转换效率;2)印刷部分位置变窄,起到节省银浆的效果。
同样的原理可推广到主栅线也采用两端的主栅线宽度可较中间的宽度宽一些,这样可改善电池串联在一起后的串联电阻,提高模组的转换效率。该栅线形状设计可应用在不同电池结构中,正面电极电池可应用到正面电极的设计中,其它电极结构电池只要涉及到载流子从副栅线到主栅线的传导都可以应用该方法(如IBC/MWT/HIT等)来设计电极形状。
附图说明
图1为本实用新型电极中主栅线和副栅线的形状示意图;
图2为本实用新型电极中靠近主栅线的副栅线的形状示意图之一;
图3为本实用新型电极中靠近主栅线的副栅线的形状示意图之二;
图4为本实用新型电极中靠近主栅线的副栅线的形状示意图之三;
图中,1主栅线,2副栅线,3太阳能电池片。
具体实施方式
结合附图和实施例进一步说明本实用新型,目前普遍使用的正面电极图形中正面栅电极分布于太阳能电池片的正面,正面栅电极包括相互平行的主栅线和多根与主栅线相垂直的副栅线,主栅线有两根,其中两根布置在两侧,最左/右侧主栅线离硅片边缘距离26mm, 主栅线与主栅线的间距为52mm, 主栅线和副栅线都是标准长方形形状,主栅线长154mm,宽度1.5mm;副栅线长154mm,宽度50um。
如图1所示,本实用新型中主栅线1不变,长为154mm,宽度为1.5mm; 副栅线2长为26mm,窄边宽度为30um,宽边宽度为70um。副栅线2形状有如下:如图2所示,靠近主栅线1的副栅线2宽度以矩形或梯形逐渐递增。如图3所示,靠近主栅线1的副栅线2宽度以弧面或曲面逐渐递增。如图4所示,靠近主栅线1的副栅线2宽度以三角形逐渐递增。新设计的副栅线2形状电极总面积没有变大,不影响太阳能电池正面遮光面积,也没有增加浆料重量,在不提高成本的情况下提高太阳能电池的填充因子,从而提高太阳能电池的转换效率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电电气(扬州)光伏有限公司,未经中电电气(扬州)光伏有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320656030.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的