[实用新型]半导体承载装置的阶级弹性限位结构

权利要求书

1.一种半导体承载装置的阶级弹性限位结构，为一承载装置具有纵横排列的多个围壁，以及由该多个围壁共同围设成形的多个矩阵排列凹槽，该阶级弹性限位结构成形于该围壁上并位于各该凹槽内；其特征是，各该凹槽的该弹性限位结构包括： 

多个挡块，成形为L形结构，各该挡块具有一与该围壁连接的连接段及一与该连接段邻接的抵制段，各该挡块具有相对的一顶面及一底面，该抵制段于该顶面与该底面之间成形有阶级结构，该阶级结构具有一阶面，该阶面具有一第一壁面与该顶面连接，以及一第二壁面与该底面连接，令各该挡块的该底面宽幅大于该顶面宽幅。 

2.如权利要求1所述半导体承载装置的阶级弹性限位结构，其特征是：该挡块抵制段具有一顶部成形有该阶面之阶块，该阶块于该阶面上具有一表面成形有该第一壁面之第一凸块，且该阶块对应该第一壁面位置之侧面上具有一设有该第二壁面之第二凸块，其中，该挡块之该第一壁面成形有一与该阶面邻接之第一立壁及一第一斜面连接该第一立壁及该顶面，且该挡块之该第二壁面成形有一与该底面邻接之第二立壁及一第二斜面连接该第二立壁及该阶面。 

3.如权利要求1所述半导体承载装置的阶级弹性限位结构，其特征是：该挡块的该第一壁面成形有一与该阶面邻接的第一立壁及一第一斜面连接该第一立壁及该顶面，且该挡块的该第二壁面成形有一与该底面邻接的第二立壁及一第二斜面连接该第二立壁及该阶面。 

4.如权利要求1所述半导体承载装置的阶级弹性限位结构，其特征是：各该挡块连接段自其成形围壁朝向对侧围壁延伸成形，各该挡块抵制段平行该凹槽的一底面沿其成形围壁延伸方向成形，且该凹槽底面对应该挡块位置开设有多个闪避口。 

5.如权利要求1所述半导体承载装置的阶级弹性限位结构，其特征是：各该挡块连接段自其成形围壁朝向对侧围壁延伸成形，且各该挡块抵制段朝向该凹槽的一底面延伸成形，令该成形有挡块的围壁对应该挡块位置开设有多个闪避口。 

6.如权利要求1所述半导体承载装置的阶级弹性限位结构，其特征是：定义该多个围壁为相互垂直的多个第一围壁及多个第二围壁，各该凹槽于同侧第一围壁设有二该挡块。 

7.如权利要求1所述半导体承载装置的阶级弹性限位结构，其特征是：定义该多个围壁为相互垂直的多个第一围壁及多个第二围壁，各该凹槽于同侧第一围壁设有二该挡 块，并于同侧第二围壁另设有二该挡块。 

8.如权利要求1所述半导体承载装置的阶级弹性限位结构，其特征是：定义该多个围壁为相互垂直的多个第一围壁及多个第二围壁，各该凹槽的一底面与相邻的一第一围壁及一第二围壁邻接处成形有一肩部，该肩部具有一顶面及一与该挡块第二壁面对应等高的抵面。