[实用新型]一种改进型的具有正反结构的触摸屏导电膜

说明书

技术领域

本实用新型涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种改进型的具有正反结构的触摸屏导电膜。

背景技术

触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。触摸屏制作中常用到ITO导电膜，ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层得到的高技术产品。ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物），作为一种典型的N 型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。

现有的ITO导电膜只在树脂基体的一个面上完成导电膜的制作，而触摸屏制造工艺需要上线和下线两层单面ITO导电膜，容易在加工过程中出现产品的印刷和贴合良率较低，不能满足正常生产要求。

发明内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种改进型的具有正反结构的触摸屏导电膜，可有效避免在加工过程中出现产品的印刷和贴合良率较低的问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种改进型的具有正反结构的触摸屏导电膜，包括树脂基体，树脂基体的正面依次设有第一纳米银层、第一氧化锌层，第一ITO层、第二ITO层、第一二氧化硅层，树脂基体的反面依次设有第二纳米银层、第二氧化锌层，第三ITO层、第四ITO层、第二二氧化硅层。

所述树脂基体的厚度为150-250微米，所述树脂基体由厚度比为1:3:1的第一聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体、聚亚胺树脂基体、第二聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体压合而成。

所述第一纳米银层和第二纳米银层的厚度相等，均为40-60纳米。

所述第一氧化锌层和第二氧化锌层的厚度相等，第一ITO层和第三ITO层的厚度相等，第二ITO层和第四ITO层的厚度相等，第一二氧化硅层和第二二氧化硅层的厚度相等。

所述第一氧化锌层和第二氧化锌层的厚度均为50-100纳米；第一ITO层和第三ITO层的厚度均为15-25纳米；第二ITO层和第四ITO层的厚度均为8-15纳米；第一二氧化硅层和第二二氧化硅层的厚度均为50-100微米。

本实用新型与现有技术相比较，有益效果在于：本实用新型通过设置第一纳米银层和第二纳米银层，利用纳米银的高渗透性和导电性，大大提高了纳米银层与树脂基体之间的结合力和本实用新型的导电性，通过设置第一氧化锌层和第二氧化锌层,使得本实用新型透光性好，在树脂基体的正面设置第一ITO层、第二ITO层，在树脂基体的反面设置第三ITO层和第四ITO层，使得ITO经过两次结晶过程，促使ITO层的结晶更加完善，使得本实用新型透光性好、电阻率低、化学稳定性好；第一二氧化硅层和第二二氧化硅层的硬度较高，具有很强的耐磨性，可防止本实用新型被划伤；综上，本实用新型的导电膜具有正面和反面双层结构，不仅有效避免了单层导电膜在加工过程中出现产品的印刷和贴合良率较低的问题，而且使制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

附图标记

1——树脂基体

2——第一纳米银层

3——第一氧化锌层

4——第一ITO层 

5——第二ITO层

6——第一二氧化硅层

7——第二纳米银层

8——第二氧化锌层

9——第三ITO层

10——第四ITO层

11——第二二氧化硅层。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。