[实用新型]一种触摸屏用ITO导电膜有效

专利信息
申请号: 201320631683.1 申请日: 2013-10-12
公开(公告)号: CN203535978U 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 李林波 申请(专利权)人: 东莞市平波电子有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人: 李玉平
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 触摸屏 ito 导电
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及触摸屏导电膜技术领域,具体涉及一种触摸屏用ITO导电膜。

背景技术

触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备,具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用,比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。触摸屏制作中常用到ITO导电膜,ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法,在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层得到的高技术产品。ITO(Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物),作为一种典型的N 型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。

现有的ITO膜,电阻率高、透过率差和化学稳定性差,不能满足生产要求。

发明内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种电阻率低、透过率好和化学稳定性好的触摸屏用ITO导电膜。

为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种触摸屏用ITO导电膜,包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层,所述树脂基体的厚度为100-150微米,第一ITO层的厚度为8-10纳米、第二ITO层的厚度为6-8纳米、第三ITO层的厚度为4-6纳米和第四ITO层的厚度为2-4纳米。

优选的,所述树脂基体的厚度为120-150微米,第一ITO层的厚度为8-9纳米、第二ITO层的厚度为6-7纳米、第三ITO层的厚度为4-5纳米和第四ITO层的厚度为2-3纳米。

更为优选的,所述树脂基体的厚度为100微米,第一ITO层的厚度为10纳米、第二ITO层的厚度为8纳米、第三ITO层的厚度为6纳米和第四ITO层的厚度为4纳米。

其中,所述树脂基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体。

或者是,所述树脂基体为厚度比为3:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体和聚亚胺树脂基体压合而成。

优选的,所述树脂基体和第一ITO层间还沉积有20-30纳米的三氧化二铝光学层。

本实用新型与现有技术相比较,有益效果在于:本实用新型通过设置第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层,促使本实用新型的晶相结构逐步完善, ITO每次沉积后都会经历结晶过程,有效的促进了ITO层完善的结晶。本实用新型为了减少厚度对结晶的影响,将第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层的厚度依次减少,有利于结晶过程的进一步完善,本实用新型制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。

附图说明

图1是本实用新型实施例1的结构示意图。

图2是本实用新型实施例2的结构示意图。

图3是本实用新型实施例3的结构示意图。

附图标记

1——聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体

2——聚亚胺树脂基体

3——第一ITO层 

4——第二ITO层

5——第三ITO层

6——第四ITO层

7——三氧化二铝光学层。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。

实施例1。

见图1,一种触摸屏用ITO导电膜,包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一ITO层3、第二ITO层4、第三ITO层5和第四ITO层6,所述树脂基体的厚度为100微米,第一ITO层3的厚度为8纳米、第二ITO层4的厚度为6纳米、第三ITO层5的厚度为4纳米和第四ITO层6的厚度为2纳米。

其中,所述树脂基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体1。

一种触摸屏用ITO导电膜的制备方法,它依次包括以下制备步骤: 

步骤A、将树脂基片放入磁控溅射设备的装载室,密封后进行抽真空;

步骤B、树脂基片加热到200℃后运送至溅射室,采用磁控溅射方式进行第一次沉积,得到第一ITO层3后,运送至冷却室冷却至室温;

步骤C、将溅射有第一ITO层3的树脂基片加热到220℃后运送至溅射室,采用磁控溅射方式进行第二次沉积,得到第二ITO层4后,运送至冷却室冷却至室温; 

步骤D、将溅射有第二ITO层4的树脂基片加热到230℃后运送至溅射室,采用磁控溅射方式进行第三次沉积,得到第三ITO层5后,运送至冷却室冷却至室温;

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