[实用新型]五电平电压源型变换装置

权利要求书

1.一种五电平电压源型变换装置，包括电容器C1、电容器C2、电容器Cph，第一接线端（1）、第二接线端（2）、第三接线端（3）、第四接线端（4），以及十二个绝缘栅双极晶体管IGBT1、IGBT2、IGBT3、IGBT4、IGBT5、IGBT6、IGBT7、IGBT8、IGBT9、IGBT10、IGBT11、IGBT12；

其特征在于，第一接线端（1）和电容器C1与绝缘栅双极晶体管IGBT1的集电极连接；

第二接线端（2）、电容器C1、电容器C2和绝缘栅双极晶体管IGBT3的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT5的集电极连接；

第三接线端（3）和电容器C2与绝缘栅双极晶体管IGBT7的发射极连接；

绝缘栅双极晶体管IGBT1的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT2的集电极连接，绝缘栅双极晶体管IGBT3的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT4的集电极连接，绝缘栅双极晶体管IGBT5的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT6的集电极连接，绝缘栅双极晶体管IGBT7的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT8的集电极连接，绝缘栅双极晶体管IGBT2的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT4的集电极连接，绝缘栅双极晶体管IGBT9的集电极、绝缘栅双极晶体管IGBT6的发射极和绝缘栅双极晶体管IGBT10的发射极与绝缘栅双极晶体管IGBT8的集电极连接；

绝缘栅双极晶体管IGBT9的发射极和绝缘栅双极晶体管IGBT10的集电极以及绝缘栅双极晶体管IGBT11的集电极和绝缘栅双极晶体管IGBT12的发射极分别连接于电容器Cph的两极；

绝缘栅双极晶体管IGBT11的发射极和绝缘栅双极晶体管IGBT12的集电极与第四接线端（4）连接。

2.根据权利要求1所述的一种五电平电压源型变换装置，其特征在于，每个绝缘栅双极晶体管也可以由集成门极换流晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管和电力场效应晶体管替换使用。

3.根据权利要求1或2所述的一种五电平电压源型变换装置，其特征在于，第一接线端（1）、第二接线端（2）、第三接线端（3）为直流输入端，第四接线端（4）、第五接线端（5）、第六接线端（6）为三相交流的输出端，每个桥臂中均安装有直流母线电容，每相直流母线电容靠近该相桥臂安装。

4.根据权利要求1或2所述的一种五电平电压源型变换装置，其特征在于，第一接线端（1）、第二接线端（2）、第三接线端（3）为直流输入端，第四接线端（4）、第五接线端（5）、第六接线端（6）为三相交流的输出端，所有桥臂共用一个直流母线电容，直流母线电容安装在直流母线的输入端。

5.根据权利要求1或2所述的一种五电平电压源型变换装置，其特征在于，第一接线端（1）、第二接线端（2）、第三接线端（3）为三相交流的输入端，每个桥臂中均安装有直流母线电容，每相直流母线电容靠近该相桥臂安装。

6.根据权利要求1或2所述的一种五电平电压源型变换装置，其特征在于，第一接线端（1）、第二接线端（2）、第三接线端（3）为三相交流的输入端，所有桥臂共用一个直流母线电容，直流母线电容安装在直流母线的输入端。

7.根据权利要求1或2所述的一种五电平电压源型变换装置，其特征在于，第一接线端（1）、第二接线端（2）、第三接线端（3）为三相交流的输入端，第四接线端（4）、第五接线端（5）、第六接线端（6）为三相交流的输出端，每个桥臂中均安装有直流母线电容，每相直流母线电容靠近该相桥臂安装。

8.根据权利要求1或2所述的一种五电平电压源型变换装置，其特征在于，第一接线端（1）、第二接线端（2）、第三接线端（3）为三相交流的输入端，第四接线端（4）、第五接线端（5）、第六接线端（6）为三相交流的输出端，所有桥臂共用一个直流母线电容，直流母线电容安装在直流母线的输入端。