[实用新型]钙钛矿基薄膜太阳电池

权利要求书

1.一种钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：

透明衬底；

在所述透明衬底上形成的透明导电层；

在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层；

在所述致密层上形成的多孔绝缘层；

在所述多孔绝缘层上形成的多孔碳对电极层；以及

填充在所述多孔绝缘层内部的孔隙中的具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述透明导电层的一部分延伸超过所述致密层、所述多孔绝缘层和所述多孔碳对电极层而暴露出来。

3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述多孔碳对电极层的一部分延伸超过其下的所述多孔绝缘层、所述致密层和所述透明导电层而形成在所述透明衬底上；并且，所述多孔碳对电极层的所述一部分与所述透明衬底上的所述透明导电层彼此绝缘。

4.根据权利要求1或2所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述透明导电层具有彼此绝缘的正极区域和负极区域；

其中，所述多孔碳对电极层的一部分、所述多孔绝缘层和所述致密层基本上形成在所述透明导电层的所述负极区域上；所述多孔碳对电极层的另一部分延伸超过所述多孔绝缘层、所述致密层和所述透明导电层的所述负极区域而形成在所述透明导电层的所述正极区域上。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述透明衬底为透明玻璃，并且，所述透明导电层为所述透明玻璃上的FTO薄膜。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述致密层为厚度在20-150nm之间的TiO₂薄膜。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述多孔绝缘层为厚度在200-1500nm之间的Al₂O₃，ZrO₂或SiO₂材料的多孔层。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述多孔碳对电极层为活性炭、碳黑、片状石墨、石墨烯、球形石墨、单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、碳纤维或硬碳材料的多孔层。

9.根据权利要求8所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述多孔碳对电极层的厚度在5-10μm之间。

10.根据权利要求1所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述致密层、所述多孔绝缘层和所述多孔碳对电极层通过丝网印刷法形成。