[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube,阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD（Liquid Crystal Display：液晶显示装置）和OLED（Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管）显示装置。

在成像过程中，LCD和有源矩阵驱动式OLED（Active Matrix Organic Light Emission Display，简称AMOLED）显示装置中都包括形成在阵列基板中的薄膜晶体管（Thin Film Transistor：简称TFT）。薄膜晶体管是实现LCD和有源矩阵驱动式OLED显示装置显示的关键，直接关系到高性能显示装置的发展方向。

如图1所示，一种薄膜晶体管的典型结构包括基板1以及在基板上形成的栅极2、栅绝缘层4、有源层5、刻蚀阻挡层6和形成在刻蚀阻挡层6上方的源极7和漏极8。目前，制备薄膜晶体管的工艺过程通常为采用构图工艺，从下而上依次制备形成包括各膜层的图形，由于薄膜晶体管的膜层数较多，因此在采用构图工艺形成各膜层的过程中，例如沉积和刻蚀步骤中，很容易因为先形成的某个膜层在图形的突变处，例如：图1中所示的斜坡处因刻蚀不规则而形成微小的凸出或凹陷的缺陷15（当然，也有可能为凹陷至整层的缺陷）。图1中，栅绝缘层4因受到过刻而形成凹陷，若凹陷过深或过大，随着镀膜的进行，由于后续膜层沉积时都很难进入上方有阻挡的部位，缺陷不会得到填充，而刻蚀时产生的一部分过刻很轻易就将沉积的膜层刻蚀掉，形成越来越严重的缺陷，最终导致本不该连接的膜层间相互接触，例如可能形成图1中有源层5在对应着该缺陷的区域不连续的情况，进而造成源极7与栅极2的绝缘被破坏，引起源极7与栅极2的连接。可以推断，一旦出现了某个膜层在图形的突变处的凸出或凹陷，随着多个构图工艺的累积，后续膜层的凸出状况或凹陷造成的不连续状况会进一步加剧，引起显示面板的不良，尤其是因凹陷而引起的金属电极之间的连接，最终将导致显示面板漏电。而显示面板一旦漏电，将导致整块显示面板的报废，造成生产成本的极大浪费。

因此，设计出薄膜晶体管中各膜层不会受制备工艺影响而出现绝缘问题，尤其是金属电极之间能有效地防漏电的结构，提高产品质量成为目前业界亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管以及相应的阵列基板中，能够有效减缓栅极或源极和漏极因斜坡处的刻蚀缺陷所带来的负面效果，杜绝后续膜层的不连续的可能，提高显示装置的品质。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是该薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上的栅极、同层设置的源极和漏极以及设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间的绝缘层，与所述栅极同层设置有栅极预形成层，所述栅极形成在所述栅极预形成层中；和/或，与所述源极和所述漏极同层设置有源漏预形成层，所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中。

优选的是，所述栅极设置在所述基板上，所述源极和所述漏极设置在所述栅极的上方，所述栅极预形成层在对应着形成栅极的区域开设有栅极嵌入槽，所述栅极设置在所述栅极嵌入槽内；和/或，所述源漏预形成层在对应着形成所述源极的区域开设有源极嵌入槽、对应着形成所述漏极的区域开设有漏极嵌入槽，所述源极设置在所述源极嵌入槽中，所述漏极设置在所述漏极嵌入槽中。

优选的是，所述源极和所述漏极设置在所述基板上，所述栅极设置在所述源极和所述漏极的上方，所述源漏预形成层在对应着形成所述源极的区域开设有源极嵌入槽、对应着形成所述漏极的区域开设有漏极嵌入槽，所述源极设置在所述源极嵌入槽中，所述漏极设置在所述漏极嵌入槽中；和/或，所述栅极预形成层在对应着形成所述栅极的区域开设有栅极嵌入槽，所述栅极设置在所述栅极嵌入槽内。

优选的是，所述栅极预形成层与所述源漏预形成层均采用无机材料形成，所述无机材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

优选的是，所述栅极的厚度与所述栅极预形成层的厚度相同，所述源极和所述漏极的厚度与所述源漏预形成层的厚度相同。