[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320605239.2 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN203456460U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 孙双 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括薄膜晶体管、像素电极、以及设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述像素电极之间的图案层;
其中,所述图案层包括断开区域,所述断开区域与所述源极和所述漏极之间的间隙对应;
所述断开区域的最小宽度大于所述源极和所述漏极之间的间隙的宽度,且所述断开区域至少将所述薄膜晶体管的漏极露出;
所述像素电极与被所述断开区域露出的所述漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述图案层包括有机透明绝缘层和位于所述有机透明绝缘层下方的粘附层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括依次设置在所述像素电极上方的钝化层和公共电极;
其中,所述粘附层和所述有机透明绝缘层均包括所述断开区域。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括依次设置在所述有机透明绝缘层和所述像素电极之间的公共电极和钝化层;
其中,所述粘附层、所述有机透明绝缘层和所述钝化层均包括所述断开区域。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括与所述像素电极同层且间隔设置的公共电极;
其中,所述粘附层和所述有机透明绝缘层均包括所述断开区域。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括与所述像素电极同层设置的透明电极保留图案,且所述透明电极保留图案至少与所述源极对应并位于所述源极上方;
其中,所述断开区域还将所述薄膜晶体管的源极露出,所述透明电极保留图案与被所述断开区域露出的所述源极电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括数据线;
所述数据线与所述透明电极保留图案和/或所述源极电连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括半导体有源层;
其中,所述半导体有源层包括非晶硅层和n+非晶硅层;或者所述半导体有源层包括金属氧化物半导体有源层。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的