[实用新型]铁电/铁磁超晶格结构及其存储器件有效
| 申请号： | 201320599712.0 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN203521478U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 苗君;程学千;徐晓光;姜勇 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铁磁超 晶格 结构 及其 存储 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种铁电/铁磁超晶格结构，其特征在于，所述超晶格结构包括：
单晶底层；
位于单晶底层上由导电氧化物形成的底电极层；以及
位于底电极层上由无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层，其中无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层一起形成外延结构。
2.根据权利要求1所述的超晶格结构，其特征在于，所述单晶底层包括单晶基片以及单晶薄膜中的一种。
3.根据权利要求1所述的超晶格结构，其特征在于，所述底电极层的厚度为1-30纳米。
4.根据权利要求1所述的超晶格结构，其特征在于，所述无铅压电陶瓷层的厚度为1-30纳米。
5.根据权利要求1所述的超晶格结构，其特征在于，所述多铁薄膜层的厚度为1-30纳米。
6.一种存储器件，其特征在于，包括：
如权利要求1-5中任一项所述的超晶格结构；以及
位于超晶格结构的中间叠层上的顶电极层。
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