[实用新型]一种近红外发光二极管的外延结构

权利要求书

1.一种近红外发光二极管的外延结构，其特征在于：在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。

2.如权利要求1所述的一种近红外发光二极管的外延结构，其特征在于：衬底层为GaAs衬底层。

3.如权利要求1所述的一种近红外发光二极管的外延结构，其特征在于：在衬底层与第一型电流扩展层之间生长形成腐蚀截止层。

4.如权利要求3所述的一种近红外发光二极管的外延结构，其特征在于：腐蚀截止层的材料为三五簇化合物，包括(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P和Al_yGa_1-yAs，其中，0≤x≤1, 0≤y≤1。

5.如权利要求1所述的一种近红外发光二极管的外延结构，其特征在于：有源层的材料为三五簇化合物，包括GaAs、AlGaAs、InGaAs、AlGaInAs。

6.如权利要求1所述的一种近红外发光二极管的外延结构，其特征在于：第一型电流扩展层、第一型限制层、第二型限制层及第二型电流扩展层的材料为三五簇化合物，包括AlGaAs、AlGaInP。

7.如权利要求1所述的一种近红外发光二极管的外延结构，其特征在于：第二型电流扩展层的第一组成部分的材料为Al_xGa_1-xAs，0.1≤x≤0.35，或者为（Al_xGa_1-x）_0.5In_0.5P，0≤x≤0.2；第二型电流扩展层的第二组成部分的材料为Al_yGa_1-yAs，0.35＜y≤0.5，或者为（Al_yGa_1-y）_0.5In_0.5P，0.2＜y≤0.4。

8.如权利要求1所述的一种近红外发光二极管的外延结构，其特征在于：第二型电流扩展层第一组成部分的厚度为2-5μm；第二型电流扩展层第二组成部分的厚度为50-500nm，且满足（2k+1）λ/（4n），其中，k≥0的正整数，λ为有源层发光波长，n为第二组成部分材料的折射率。