[实用新型]一种真空吸笔头有效
申请号: | 201320576419.2 | 申请日: | 2013-09-17 |
公开(公告)号: | CN203617262U | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 李改丽;刘德均;谭宗尚;李军 | 申请(专利权)人: | 常州君华特种工程塑料制品有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 213164 江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 笔头 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种真空吸笔头,特别涉及一种吸力均匀、带有导向结构的真空吸笔头。
背景技术
真空吸笔是一种外形类似钢笔的小型气动工具。它由塑料或者橡胶壳体、真空发生器(气动型)、真空吸盘、弯头和卷管(气动型)组成,能灵活地运用于小零件的装配。真空吸笔可分为气动吸笔和手动吸笔两大类。气动吸笔的气源要求是4-6公斤的压缩空气,手动吸笔的动力是橡胶皮囊。两者相比较气动吸笔动力十足但活动范围有限,手动吸笔活动方便但动力不如气动吸笔。真空吸笔头是真空吸笔与被吸物,例如太阳能硅片接触的,装在笔杆上的真空吸笔的前端部分。目前的真空吸笔头,具有一个真空吸点且没有导向结构,一方面由于接触硅片等被吸物为一个面,这样会造成吸力不均匀,同时由于操作人员的熟练程度不同,或操作时角度失误,容易发生硅片的掉落或倾斜,进而碰擦相邻的硅片等,造成损失;另一方面不具有导向面结构,工作效率低。
实用新型内容
本实用新型的目的是解决上述不足,提供一种具有多个吸点、真空吸力更均匀、高效的真空吸笔头。
实现本实用新型目的的技术方案是:一种真空吸笔头,包括吸笔头主体,真空吸点,其还具有凹陷于吸笔头主体表面的真空吸腔,所述真空吸点位于真空吸腔的端部。
上述的真空吸笔头,所述真空吸腔的形状为方形。
上述的真空吸笔头,所述真空吸点优选为圆孔。
上述的真空吸笔头,在所述真空吸腔中、真空吸点的相对面端部还具有第二真空吸点,优选为圆孔。
上述的真空吸笔头,所述吸笔头主体外,延伸出一导向面,其为具有坡度的斜面。
上述的真空吸笔头,所述导向面为相对水平面具有3~8°坡度的斜面,优选5~6°。
上述的真空吸笔头,所述真空吸笔头材料为聚醚醚酮、聚酰胺酰亚胺或热固性聚酰亚胺。
本实用新型具有积极的效果:(1)具有相对设置的两个真空吸点,真空吸力均匀,有效减少实际操作中硅片掉落或倾斜的问题;(2)本实用新型真空吸笔头的导向面为斜面,使用中更易于插入,更加实用,有效提高工作效率,降低了破损率;(3)聚醚醚酮和聚酰胺酰亚胺材料的真空吸笔头能在温度高达250℃的环境下长期使用,而采用热固性聚酰亚胺材料的能够长期在高达380℃的高温下工作。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1为本实用新型实施例1的结构示意图,图2为本实用新型实施例2的结构示意图;图3为图2的主视图。
其中:1吸笔头主体,2真空吸点,3真空吸腔,4第二真空吸点,5导向面。
具体实施方式
(实施例1)
见图1
一种真空吸笔头,包括吸笔头主体1,真空吸点2,还具有凹陷于吸笔头主体1表面的真空吸腔3,其形状为正方形。所述真空吸点2位于真空吸腔3的端部,为圆孔。真空吸笔头材料为热固性聚酰亚胺。
(实施例2)
见图2和图3
一种真空吸笔头,包括吸笔头主体1,真空吸点2,还具有凹陷于吸笔头主体1表面的真空吸腔3,其形状为正方形。所述真空吸点2位于真空吸腔3的端部,为圆孔。在所述真空吸腔3中、真空吸点2的相对面端部还具有第二真空吸点4为圆孔,吸笔头主体1外具有凸出于吸笔头外的导向面5,该导向面5为相对水平面成8°夹角的斜面。真空吸笔头材料为聚醚醚酮。
(实施例3)
见图2图3
一种真空吸笔头,包括吸笔头主体1,真空吸点2,还具有凹陷于吸笔头主体1表面的真空吸腔3,其形状为正方形。所述真空吸点2位于真空吸腔3的端部,为圆孔。在所述真空吸腔3中、真空吸点2的相对面端部还具有第二真空吸点4为圆孔,吸笔头主体1外具有凸出于吸笔头外的导向面5,该导向面5为相对水平面成6°夹角的斜面。真空吸笔头材料为聚酰胺酰亚胺。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造