[实用新型]LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种led芯片。

背景技术

蓝宝石基板是led芯片重要的部件，目前市场上在做led蓝宝石基板减薄的制程中，并没有特别去控制芯片减薄后的背面粗造度，大部份都做完减薄制程后就往下作业，无形中失去提升亮度的机会。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本实用新型提供一种led芯片，控制蓝宝石基板减薄后的背面粗造度，背面粗造度更细致RA值控制在0.006um内，可以提升亮度约3%。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种led芯片，包括：蓝宝石基板、外延层和欧姆电极，所述的欧姆电极包括P电极和N电极，蓝宝石基板的粗糙度为0.006um。

进一步改进，所述的蓝宝石基板底部还设有反射层，所述的反射层材料为SiO2/TiO2。

本实用新型的有益效果是：把蓝宝石基板的粗糙度设置在0.006um，增加光的反射率，所以在芯片在表面粗糙度的条件就直接影向光的反射率。所以直接由实验的数值来看，RA值越小，对于光的提升是有明显的帮助，提升亮度約3%~5%。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中：1、蓝宝石基板，2、外延层，3、P电极，4、N电极，5、反射层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图1所示，一种led芯片，包括：蓝宝石基板1、外延层2和欧姆电极，所述的欧姆电极包括P电极3和N电极4，蓝宝石基板1的粗糙度为0.006um，提升亮度約3%~5%。

进一步改进，所述的蓝宝石基板1底部还设有反射层5，所述的反射层5材料为SiO2/TiO2。