[实用新型]双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器有效

专利信息
申请号: 201320560455.X 申请日: 2013-09-10
公开(公告)号: CN203734621U 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 姜皓文 申请(专利权)人: 珠海市百音电子科技有限公司
主分类号: H03D7/00 分类号: H03D7/00
代理公司: 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 代理人: 邹常友
地址: 519000 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 极化 集成电路 结构 pll cs 波段 多功能 降频器
【权利要求书】:

1.一种双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器,包括有依次导通连接的水平极化天线(1)、第一放大器(2)、第二放大器(3)、第一滤波器(4),和依次导通连接的垂直极化天线(5)、第三放大器(6)、第四放大器(7)、第二滤波器(8),以及与所述第一滤波器(4)和第二滤波器(8)的输出端导通连接的集成电路(9);其特征在于:所述集成电路(9)主要由极化交换器(91)、第五放大器(92)、第六放大器(93)、第一混波器(94)、第二混波器(95)、振荡器(96)、可程序频率合成器(97)、第一中频放大器(98)、第二中频放大器(99)和频率基准输入端口(90)组成;所述极化交换器(91)的输入端与所述第一滤波器(4)和第二滤波器(8)的输出端导通连接,其两输出端分别设有依次导通连接的所述第五放大器(92)、第一混波器(94)、第一中频放大器(98)和依次导通连接的第六放大器(93)、第二混波器(95)、第二中频放大器(99),并形成第一中频输出端口(981)和第二中频输出端口(991);所述可程序频率合成器(97)包含锁相回路,其输出端与所述振荡器(96)的输入端导通连接,所述振荡器(96)的输出端均与所述第一混波器(94)和第二混波器(95)导通连接。

2.根据权利要求1所述的双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器,其特征在于:所述多功能降频器是双极化单输出降频器,还包括有功合器(10),所述功合器(10)的输入端与所述第一中频输出端口(981)和第二中频输出端口(991)导通连接。

3.根据权利要求2所述的双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器,其特征在于:所述功合器(10)是功分器。

4.根据权利要求1或2或3所述的双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器,其特征在于:所述第一放大器(2)、第二放大器(3)、第三放大器(6)、第四放大器(7)、第五放大器(92)、第六放大器(93)、第一中频放大器(98)和第二中频放大器(99)均为互补金属氧化物半导体三极管放大器;所述第一滤波器(4)和第二滤波器(8)是带通滤波器。

5.根据权利要求4所述的双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器,其特征在于:所述可程序频率合成器(97)是一个程序可调的数位乘法器。

6.根据权利要求1或2或3所述的双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器,其特征在于:所述水平极化天线(1)的长度为C/S波段中一定频率的四分之一波长,其放置位置距离所述多功能降频器上的微波波导管管壁为C/S波段中一定频率的四分之一波长;所述垂直极化天线(5)的长度为C/S波段中一定频率的四分之一波长,且其放置位置距离所述多功能降频器的上反射棒为C/S波段中一定频率的四分之一波长。

7.根据权利要求6所述的双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器,其特征在于:所述反射棒距离微波波导管管壁为C/S波段中一定频率的四分之一波长。

8.根据权利要求7所述的双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器,其特征在于:所述水平极化天线(1)的长度及其放置位置距离所述微波波导管管壁、所述垂直极化天线(2)的长度及其放置位置距离所述反射棒、所述反射棒距离微波波导管管壁均为C波段1.857cm~2.2cm 波长的四分之一或S波段2.78cm~3.26cm 波长的四分之一。

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