[实用新型]处理平坦基板的装置有效
申请号: | 201320560416.X | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN203746801U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 默克.延斯 | 申请(专利权)人: | 睿纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/306;H01L31/18 |
代理公司: | 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 | 代理人: | 李烨;赵飞 |
地址: | 德国古*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 平坦 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及平坦基板的处理领域。特别是,本实用新型涉及使用彼此不同的液体,进行固定于保持装置的平坦基板(尤其是硅片等)的处理以及平坦基板自保持装置剥离的准备。
背景技术
平坦基板、即通常由硅构成的所谓的“晶片”形成大部分电气零部件或电子零部件(例如太阳光发电产业的太阳能电池)的基础。
制造基板时,首先自(硅)块(锭)切割出基板,然后进行预清洗、湿化学表面处理,最后将其分开。分开时通常必须溶解在切割前将锭以单侧固定于保持装置的粘接剂(Kitt)。然后手动或自动地从连接体分离(分开)基板。
根据情况,除了分开步骤以外,上述步骤分别包括液体对被切割的锭的作用。进行该湿化学处理步骤的设备例如公开于日本特开平09-237770号公报中。该公报中记载的、与用于该种处理的通常的现有技术相当的设备,具有依次配置的一系列处理槽。这些槽分别发挥进行不同的湿化学处理步骤的作用。利用处理装置移动被切割的锭,使其从某个槽向下一个槽移动,直至在设备的末端部被分开。
该种设备的通常处理顺序是预清洗‐剥离‐分开‐主清洗,主清洗后,在后续的电池制造过程中,还进行表面蚀刻(除去切割损坏的蚀刻)。
该种设备具有许多缺点。例如,由于设置各种槽且槽的数量多,所以,所需空间较大。由于反复处理锭,所以增加损坏通常极薄的基板的危险。损坏的危险通过最后的步骤(预处理(preconditioning)或除去切割损坏的蚀刻)才又多少降低。最后就是该种设备的结构和运转成本高。
实用新型内容
本实用新型的课题是避免上述缺点。即,希望缩小设备所需空间,并将锭的处理减少至最小值。希望降低设备在结构上和运转中的成本以及基板的损坏危险。
上述课题通过以下实施方式解决。其他有利的实施方式可以通过下述说明以及唯一的附图加以描述。所述实施方式如下所述。
(1)、一种处理平坦基板的装置,所述装置使用彼此不同的液体,进行固定于保持装置的平坦基板的处理,并进行所述平坦基板自所述保持装置剥离的准备,其特征在于,具有:
收纳液体的槽;
改变所述保持装置和所述槽之间的垂直距离的装置;
向所述槽内分别供给适用于进行所述平坦基板的处理或剥离所述平坦基板的准备的至少二种液体的机构。
(2)、(1)中所述的处理平坦基板的装置,其中,所述装置具有唯一的槽。
(3)、上述(1)或(2)所述的装置,其中,作为分别供给的机构,使用一个多路阀或多个单向阀,所述一个多路阀与用于各液体的分开的供给部连接或可连接,所述多个单向阀与这些供给部连接或可连接,或者将所述一个多路阀或所述多个单向阀与该装置对应配置。
(4)、上述(1)至(3)中任一项所述的装置,其中,所述装置还具有从所述槽除去液体的机构。
(5)、上述(4)所述的装置,其中,作为所述除去液体的机构,使用一个多路阀或多个单向阀,所述一个多路阀与暂时储存液体的分开的罐连接或可连接,所述多个单向阀与这些罐连接或可连接,或者将所述一个多路阀或多个单向阀与该装置对应配置。
(6)、上述(1)至(5)中任一项所述的装置,其中,所述保持装置及所述槽中的至少一方可通过改变所述垂直距离的装置沿垂直方向移动。
(7)、上述(1)至(6)中任一项所述的装置,其中,还具有所述平坦基板的超声波清洗装置,该超声波清洗装置固定在所述槽内,或者配置于所述保持装置。
(8)、上述(1)至(7)中任一项所述的装置,其中,还具有与液体数相应数量的用于液体的循环泵、输出至少一种液体的喷嘴、收集被剥离的基板的筐、以及用于蒸汽或气体状反应产物的吸气装置中的至少一个。
(9)、上述(1)至(8)中任一项所述的装置,其中,该装置能够向所述槽内分别输出用于所述平坦基板的冲洗液、蚀刻液以及用于晶片粘接剂的溶剂,且/或所述平坦基板由硅构成。
下面一边参照唯一的附图(图1)一边详细说明本实用新型的装置。
本实用新型的装置发挥以下功能:使用液体进行固定于保持装置3的平坦基板4的处理以及平坦基板4自保持装置3剥离的准备,所述液体优选彼此不同,但都适用于平坦基板4的处理和平坦基板4自保持装置3的剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造