[实用新型]外延片生长基盘

说明书

技术领域

本实用新型属于晶体生长设备技术领域，更具体的说是一种晶体生长过程中使用的外延片生长基盘。 

背景技术

目前，外延片生长的主流工艺是生产过程中使用基盘，现有技术晶体生长外延片所使用的基盘，一台设备一次最多可生长45片，该工艺生产效率低，生产成本高，外延片的均匀性较差，其光性、电性性能较差，质量不稳定。 

发明内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种一次能生长54片、生产效率高、生产成本低、外延片的均匀性较好、质量稳定的外延片生长基盘，其具体方案为：所述的外延片生长基盘由储槽、盘体组成，其特征是储槽设置在盘体上，储槽设置为直径相等的圆形。 

本实用新型所述的储槽，其特征在于储槽的深度设置为0～650um。 

本实用新型所述的储槽，其特征在于储槽的底部形式设置为平底型、斜底型、凹型、凸型、阶梯型中的一种或二种以上的混合形式，其底部高度差设置为0.001～0.5um。 

本实用新型所述的储槽，其特征在于储槽数量设置为54个，储槽的布置形式沿正六边形布置，以盘体的中心为六边形形心依次向外设置4层，每层储槽设置个数从内向外依次分别为：6、12、18、18。 

本实用新型的有益效果是外延片生长基盘一次能生长54片，生产效率高，生产成本低，外延片的均匀性较好，外延片的质量稳定。 

附图说明

附图1是本实用新型的结构示意图；附图1中： 

1. 储槽，2. 盘体。

具体实施方式

结合附图1对本实用新型进一步详细描述，以便公众更好地掌握本实用新型的实施方法，本实用新型具体的实施方案为：所述的外延片生长基盘由储槽1、盘体2组成，其特征是储槽1设置在盘体2上，储槽1设置为直径相等的圆形。 

本实用新型所述的储槽1，其特征在于储槽1的深度设置为0～300um。 

本实用新型所述的储槽1，其特征在于储槽1的底部形式设置为平底型、斜底型、凹型、凸型、阶梯型中的一种或二种以上的混合形式，其底部高度差设置为0.001～0.5um。 

本实用新型所述的储槽1，其特征在于储槽1数量设置为54个，储槽1的布置形式沿正六边形布置，以盘体2的中心为六边形同心依次向外设置4层，每层储槽1设置个数从内向外依次分别为：6、12、18、18。 

本实用新型的有益效果是外延片生长基盘一次能生长54片，生产效率高，生产成本低，外延片的均匀性较好，外延片的质量稳定。