[实用新型]大通流电涌保护器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电涌保护器，尤其涉及一种大通流电涌保护器。

背景技术

电涌保护器是电子设备雷电防护中不可缺少的一种装置，电涌保护器的作用是把窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压限制在设备或系统所能承受的电压范围内，或将强大的雷电流泄流入地，保护设备或系统不受冲击而损坏。电涌保护器是以ZnO防雷芯片为主要元件，组合了热脱离机构等，具有良好的非线性性能和大通流能力的优点，作为雷电浪涌保护元件在电子电路和电力系统中得到广泛的应用，保证了设备的安全运行。

单片ZnO防雷芯片由于受现今电子陶瓷制造技术限制，其耐受大电流冲击能力相对较差，较少地用于B级SPD中，目前，大多采用两片ZnO防雷芯片并联来提高SPD的大电流冲击能力，大通流SPD器件与线路连接的脱离，是依靠压敏电阻元件的脱扣电极片中间某个部位，冲压成凸出面或折弯成∟型，环氧树脂封装时留出脱扣电极片凸出面或折弯面，一个外电极通过低熔点合金与脱扣电极片凸出面或折弯面相焊接。但是ZnO防雷芯片并联时需要采用铜片来连接电路，在脉冲电流的作用下，其阻抗比较大，造成并联ZnO防雷芯片上的电流不均，降低了SPD的大电流冲击能力，因此不能最大限度的发挥并联的效果。另一方面，相比单片防雷芯片的SPD而言，双片ZnO防雷芯片并联SPD的通流能力理论上几乎提高了一倍，脱扣电极、脱扣点的截面积也要相应的增加，然而受到空间的限制，能增加的面积较少，不能满足大通流的要求。这两个严重的技术缺陷都使其耐受大电流冲击能力大打折扣，不能有效防止大通流SPD在大电流冲击下失效。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是，针对现有技术中存在的上述缺陷，提供一种即便在耐受大电流冲击下也能具有较低残压、较高可靠性的大通流电涌保护器，可以克服现有技术的不足。

本实用新型的技术方案是：大通流电涌保护器，包括位于模块盒体1内的压敏防雷芯片，压敏防雷芯片为两块采用并联设置，其负极相互连接形成共用内电极，共用内电极与负电极引出脚连接，在两块压敏防雷芯片的正极热脱离点上分别连接有上热脱离弹片和下脱离弹片，上热脱离弹片和下脱离弹片分别与正电极引出脚连接。

上述的大通流电涌保护器是，在模块盒体的端面上分别铰接有上切断板和下切断板，上切断板的中段位于上热脱离弹片与正极热脱离点之间、端部与处于拉伸状态的上端面弹簧连接，上端面弹簧的另一端固定在模块盒体上；下切断板的中段位于下热脱离弹片与正极热脱离点之间、端部与处于拉伸状态的下端面弹簧连接，下端面弹簧的另一端固定在模块盒体上。

前述的大通流电涌保护器是，正极热脱离点位于压敏防雷芯片的中间区域。 

与现有技术比较，本实用新型由于采用了上述技术方案，两片ZnO防雷芯片上均设置了热脱离点，当其中一片ZnO防雷芯片失效从电路中热脱离后，另一片芯片仍然可以起到防雷的作用；另外，由于并联芯片是通过第二外电极A和第二外电极B完全对称并联，电流分布均匀从而有效地降低了电涌保护器的残压。第三，在弹簧片与压敏防雷芯片之间采用了用弹簧拉住的切断板，当低温焊锡熔化时，切断板在弹簧的作用下可迅速切断回路，热脱离可靠性高。

附图说明：

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型的立体结构示意图。  

具体实施方式：

实施例1 、如图1和2所示，本实施例核心压敏防雷芯片2为两片边长为34mm的方形环氧树脂封装芯片，压敏防雷芯片2的压敏电压为620V，其工频击穿点在芯片中部，置于绝缘模块盒体1中，两块压敏防雷芯片2采用并联设置，其的负极相互连接形成共用内电极3，共用内电极3与固定在绝缘模块盒体1上的负电极引出脚4连接，在两块压敏防雷芯片2的正极热脱离点5上分别连接有上热脱离弹片6和下脱离弹片7，正极热脱离点5位于压敏防雷芯片2的中间区域，上热脱离弹片6和下脱离弹片7的连接是通过低温焊锡连接的，低温焊锡的熔点为110℃—150℃，上热脱离弹片6和下脱离弹片7分别与正电极引出脚8连接。