[实用新型]超细线径金属丝网网版有效
申请号: | 201320549812.2 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN203557801U | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 徐国良;姜昊;赵昌祥 | 申请(专利权)人: | 常州三立精图光电有限公司 |
主分类号: | B41F15/36 | 分类号: | B41F15/36 |
代理公司: | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人: | 沈毅 |
地址: | 213000 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 细线 金属丝网 | ||
技术领域
本实用新型涉及导电细线制造用网版技术领域,尤其是一种超细线径金属丝网网版。
背景技术
印刷导电银线在微电子领域有广泛应用,比如晶硅太阳能电池,导电银线印刷在电池片表面上,用来收集电流。在触控屏表面,导电银线把面板表面触摸电信号传输到处理器内部进行处理。
在太阳能电池制造中,通常导电银线用丝网印刷来形成。将预先配置好的银浆放置在网版上,利用刮刀提供压力,把银浆压过网版图形开口,印到放置在底部的硅片上。透过的银浆反映网版上的图形,在硅片上形成收集电流的导电电路。在触控板制造中,同样的印刷原理用于在基板上形成触控屏电路。网版上的图形是通过曝光显影的方式实现的。
太阳能电池片上正面的银线条由两部分组成:主栅线和副栅线,副栅线有几十根到一百根约几十微米宽线条组成,用于收集硅片表面的光生电流;主栅线有两根到五根0.8~2 毫米左右宽的线条组成,用于汇集副栅线上的电流并导入到被使用的电路上。但是,银线条的存在,减少了硅片受光的有效面积,所以,线条越细越好。
目前行业内丝网印刷网版的图形开口宽度设计值在50~60um,印刷后银导线宽度在80~90um;当进一步降低网版图形开口宽度,如40~50um线宽,常规金属丝网的大线径(线径>=16um),大网结的负面效应开始凸显,网版的过墨性恶化,导电银线开始出现断点,平整度差等问题,严重影响导电银线的导电性能。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:使用常规金属丝网制版,网版的图形开口宽度极限值为50~60um,印刷后银导线宽度达到80um~90um;当进一步降低网版图形开口宽度时,如40~50um,常规丝网的大线径(线径>=16um),大网结的负面效应开始凸显,网版的过墨性恶化,导电银线开始出现断点,平整度差等问题,严重影响导电银线的导电性能。针对这种问题,本实用新型提供了一种超细线径金属丝网网版。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种超细线径金属丝网网版,包括丝网、尼龙网和网框,网框与尼龙网之间,尼龙网与丝网之间均通过胶水黏附,所述的丝网由超细线径、超高目数的金属丝网组成,所述线径尺寸≤14um,目数≥380目。
根据本实用新型的另一个实施例,进一步包括所述网框的形状为方形。
根据本实用新型的另一个实施例,进一步包括所述网框为铝框或铸铁框。
本实用新型的有益效果是,使用超细线径金属丝网网版,网版图形开口宽度<50um,印刷后导电银线的宽度<70um,同时导电银线无断点,有良好的表面平整度;将本实用新型用于晶硅太阳能电池正面导电银线印刷,太阳能电池光电转换效率可以提高0.2%~0.3%,同时单片银浆耗量降低10%。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图;
图中1、网框,2、尼龙网,3、金属丝网,4、网版图形。
具体实施方式
如图1是本实用新型的结构示意图,一种超细线径金属丝网网版,包括网框1、尼龙网2和金属丝网3,网框1与尼龙网2之间,尼龙网2与金属丝网3之间均通过胶水黏附,所述的金属丝网3由超细线径、超高目数的金属丝网组成,所述线径尺寸≤14um,目数≥380目。所述网框1的形状为方形。所述网框1为铝框或铸铁框。
本实用新型可根据需要的印刷形貌,来选择合适的网布规格和线宽膜厚规格。本实用新型优选实施例一,目数380,线径14um,纱厚14um~35um。本实用新型优选实施例二,目数430,线径13um,纱厚13um~30um。本实用新型金属丝网具有超细线径优势,在进一步降低网版图形开口宽度时,可有效解决丝网网结造成的断点问题。本实用新型采用超细线径金属丝网替代常规金属丝网组成网版。网版通过曝光显影的方式,可显现网版图形4。得到的网版图形开口宽度<50um,印刷后导电银线的宽度<70um,同时导电银线无断点,有良好的表面平整度。
将本实用新型用于晶硅太阳能电池正面导电银线印刷,太阳能电池光电转换效率可以提高0.2%~0.3%,同时单片银浆耗量降低10%。
以上通过对所列实施方式的介绍,阐述了本实用新型的基本构思和基本原理。但本实用新型绝不限于上述所列实施方式,凡是基于本实用新型的技术方案所作的等同变化、改进及故意变劣等行为,均应属于本实用新型的保护范围。
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