[实用新型]一种倒装LED芯片的焊接电极结构及倒装LED芯片有效

专利信息
申请号: 201320549532.1 申请日: 2013-09-05
公开(公告)号: CN203521472U 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 唐小玲;夏红艺;罗路遥 申请(专利权)人: 深圳市智讯达光电科技有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 深圳市凯达知识产权事务所 44256 代理人: 刘大弯
地址: 518057 广东省深圳市南山区高新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 倒装 led 芯片 焊接 电极 结构
【权利要求书】:

1.一种倒装LED芯片的焊接电极结构,电极包括有N型电极和P型电极,其特征在于:P型电极包括位于底层的P型焊接电极,P型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形;N型电极包括位于底层的N型焊接电极,N型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形;所述P型焊接电极和N型焊接电极的底部焊接面分别选自圆形或正方形中的一种且互不相同的形状。 

2.根据权利要求1所述的焊接电极结构,其特征在于:所述N型焊接电极的焊接面为正方形,P型焊接电极的焊接面为圆形。 

3.根据权利要求1所述的焊接电极结构,其特征在于:所述N型电极包括N型焊接电极和N型欧姆接触电极,P型电极包括P型焊接电极和金属电极和P型欧姆接触电极层。 

4.一种倒装LED芯片,包括蓝宝石衬底;N型半导体层,设置在蓝宝石衬底的下侧;发光层,设置在N型半导体层的未设有N型沟槽的部分的下侧;P型半导体层,设置在发光层的下侧;P型欧姆接触电极层,设置于P型半导体层下侧,P型欧姆接触电极层的下侧设有P型电极;N型欧姆接触电极,设置于N型半导体层沟槽内,N型欧姆接触电极的下侧设有N型电极;其特征于:所述的倒装芯片的P型电极和N型电极含有如权利要求1~3任意项所述的焊接电极结构。 

5.根据权利要求4所述的倒装LED芯片,其特征在于:还包括有反射层,覆盖P型欧姆接触电极层未设有P型电极的部分。 

6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片,其特征在于:还包括有保护层,在制作P型电极和N型电极前,在未设有电极的反射层的下侧、N型沟槽内的侧壁和N型半导体层的下侧制作一保护层,具有绝缘作用。 

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