[实用新型]一种应用于无间隙雷电冲击电流或电压发生器的均压电路有效
| 申请号: | 201320549478.0 | 申请日: | 2013-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN203537264U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
| 发明(设计)人: | 李建明;罗涛;陈少卿;张榆 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;国网四川省电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号: | H02M9/04 | 分类号: | H02M9/04;H02M1/32 |
| 代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人: | 卓仲阳 |
| 地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 应用于 间隙 雷电 冲击 电流 电压 发生器 压电 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种雷电冲击电流或电压发生装置,具体涉及一种应用于无间隙雷电冲击电流或电压发生器的均压电路。
背景技术
随着超特高压输电工程的发展,雷电冲击电流发生器已成为各高电压试验室的重要设备之一,利用雷电冲击电流发生器能对高压设备进行雷电冲击电流试验。在试验中冲击电流波形必须精确,冲击电流幅值过高容易损坏设备,冲击电流幅值过低则达不到试验目的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种应用于无间隙雷电冲击电流发生器的均压电路,解决目前的无间隙雷电冲击电流发生器的在均压上的不足,以及无电路保护措施的问题。
为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
方案一:一种应用于无间隙雷电冲击电流发生器的均压电路,包括栅极均压回路、静态均压回路和动态均压回路,其中所述栅极均压回路设置在绝缘栅双极型晶体管VT的栅极和发射极之间,所述静态均压回路和动态均压回路设置在绝缘栅双极型晶体管VT的集电极和发射极之间。
更进一步的技术方案是,所述栅极均压回路主要由相互串接齐纳二极管DQ和方向二级管DF构成,其中齐纳二极管DQ的负极连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极,方向二级管DF的负极连接至绝缘栅双极型晶体管VT的栅极。
更进一步的技术方案是,所述静态均压回路主要由连接在绝缘栅双极型晶体管VT的集电极和发射极之间的电阻RT构成;所述动态均压回路主要由电阻RS和二极管DS并联后串接电容CS构成,其中二极管DS的正极连接至绝缘栅双极型晶体管VT的集电极,所述电容CS的另一端连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极。
方案二:一种应用于无间隙雷电冲击电流发生器的均压电路,包括栅极均压回路、静态均压回路和动态均压回路,其中所述栅极均压回设置在可控硅D的栅极和负极之间,所述静态均压回路和动态均压回路设置在可控硅D的正极和负极之间。
更进一步的技术方案是,所述栅极均压回路主要由相互串接齐纳二极管DQ和方向二级管DF构成,其中齐纳二极管DQ的负极连接至可控硅D的负极,方向二级管DF的负极连接至可控硅D的栅极。
更进一步的技术方案是,所述静态均压回路主要由连接在可控硅D的正极和负极之间的电阻RT构成;所述动态均压回路主要由电阻RS和二极管DS并联后串接电容CS构成,其中二极管DS的正极连接至可控硅D的负极,所述电容CS的另一端连接至可控硅D的正极。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型有效的对绝缘栅双极型晶体管或可控硅的各端进行均压,保障了无间隙雷电冲击电流发生器的安全运作。
附图说明
图1为一种采用绝缘栅双极型晶体管的无间隙雷电冲击电流发生器电路连接图。
图2为一种采用绝缘栅双极型晶体管的无间隙雷电冲击电压发生器电路连接图。
图3为一种采用可控硅的无间隙雷电冲击电流发生器电路连接图。
图4为一种采用可控硅的无间隙雷电冲击电压发生器电路连接图。
图5为图1或图2中本实用新型的结构电路连接图。
图6为图3或图4中本实用新型的结构电路连接图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
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