[实用新型]一种阻挡层、薄膜晶体管以及阵列基板有效
| 申请号： | 201320547456.0 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN203456467U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/43;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阻挡 薄膜晶体管 以及 阵列 | ||
1.一种阻挡层，其特征在于，包括至少两层导电薄膜；
其中，任一层所述导电薄膜中的晶界与相接触的另一层所述导电薄膜中的晶界相互错位排列。
2.根据权利要求1所述的阻挡层，其特征在于，所述至少两层导电薄膜至少包括第一层导电薄膜和第二层导电薄膜；所述第一层导电薄膜和所述第二层导电薄膜均包括高热稳定性且低电阻率的金属单质。
3.根据权利要求1所述的阻挡层，其特征在于，所述至少两层导电薄膜至少包括第一层导电薄膜和第二层导电薄膜；所述第一层导电薄膜包括高热稳定性且低电阻率的金属单质；
所述第二层导电薄膜包括由所述高热稳定性且低电阻率的金属单质构成的化合物或合金；
其中，所述化合物包括由所述高热稳定性且低电阻率的金属单质构成的氧化物、或氮化物、或氮氧化合物。
4.根据权利要求2或3所述的阻挡层，其特征在于，所述高热稳定性且低电阻率的金属单质包括钼、或钛、或钨、或钽、或锆、或钴、或铪。
5.根据权利要求2或3所述的阻挡层，其特征在于，所述任一层导电薄膜的厚度均为
6.一种阻挡层，其特征在于，包括至少一个阻挡单元，任一个阻挡单元均包括一层上导电薄膜和一层下导电薄膜；其中所述上导电薄膜包括无晶界导电薄膜。
7.根据权利要求6所述的阻挡层，其特征在于，所述下导电薄膜包括高热稳定性且低电阻率的金属单质、或由所述高热稳定性且低电阻率的金属单质构成的合金。
8.根据权利要求7所述的阻挡层，其特征在于，所述高热稳定性且低电阻率的金属单质包括钼、或钛、或钨、或钽、或锆、或钴、或铪。
9.根据权利要求6～8任一项所述的阻挡层，其特征在于，所述任一个阻挡单元的厚度为
10.一种阻挡层，其特征在于，包括一层具有晶界的第三导电薄膜，在所述第三导电薄膜的晶界处还包括晶界阻挡物，用于填补所述第三导电薄膜的晶界。
11.根据权利要求10所述的阻挡层，其特征在于，所述第三导电薄膜包括高热稳定性且低电阻率的金属单质、或由所述高热稳定性且低电阻率的金属单质构成的合金；
所述晶界阻挡物包括由所述高热稳定性且低电阻率的金属单质构成的氧化物、或氮化物、或氮氧化合物。
12.根据权利要求11所述的阻挡层，其特征在于，所述高热稳定性且低电阻率的金属单质包括钼、或钛、或钨、或钽、或锆、或钴、或铪。
13.根据权利要求10～12任一项所述的阻挡层，其特征在于，所述第三导电薄膜的厚度为
14.一种薄膜晶体管，包括栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层；其特征在于，还包括如权利要求1至5、或6至9、或10至13任一项所述的阻挡层。
15.一种阵列基板，包括基板、以及设置在基板上的薄膜晶体管；其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求14所述的薄膜晶体管。
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