[实用新型]一种采用植球优化技术的框架csp封装件

说明书

技术领域

本实用新型专利涉及一种基于框架csp的封装领域，更进一步说是一种采用植球优化技术的框架csp封装件，属于集成电路封装技术领域。

背景技术

CSP(Chip Scale Package)封装，是芯片级封装的意思。CSP封装是最新一代的内存芯片封装技术，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，而且线路阻抗显著减小，芯片运行速度也随之得到大幅度提高。CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比有极大提高。还具有多输入／输出端数、电性能好和热性能好等特点。

现有csp框架产品开发均要先设计框架再开发框架，设计周期以及开发周期都比较长，使得生产成本高和生产效率较低。

实用新型内容

针对上述常规框架的缺陷，本实用新型的目的是提供一种采用植球优化技术的框架csp封装件，使IC芯片在封装过程中不再受框架设计的限制，可以直接和框架连接,省去设计框架的步骤。由于芯片不再需要制作特殊的图形，节约了生产成本，提高产品的生产能力。

一种采用植球优化技术的框架csp封装件，主要由引线框架、镀银层、植球、芯片、键合线和塑封体组成。所述引线框架与芯片通过镀银层相连，键合线从芯片连接到引线框架上，镀银层上有植球，塑封体包围了引线框架、镀银层、植球、芯片和键合线，芯片、键合线、植球和引线框架构成了电路的电源和信号通道。所述引线框架上有镀银层，镀银层上有植球和芯片，植球在芯片的两端，镀银层、植球和芯片都在引线框架的一侧。

植球为金、铜或者合金球。

键合线为金线、铜线或合金线。

一种采用植球优化技术的框架csp封装件的制作工艺，主要流程如下：晶圆减薄→划片→框架镀银层→镀银层上植球→上芯→压焊→塑封→蚀刻引线框架→成品。

附图说明

图1为引线框架剖面图；

图2 为引线框架镀银后剖面图；

图3为引线框架植球剖面图；

图4为上芯后产品剖面图；

图5为压焊后产品剖面图；

图6为塑封后产品剖面图；

图7为蚀刻引线框架后产品剖面图；

图8为成品剖面图。

图中，1为引线框架，2为镀银层，3为植球，4为芯片，5为键合线，6为塑封体。

具体实施方式

如图所示，一种采用植球优化技术的框架csp封装件，主要由引线框架1、镀银层2、植球3、芯片4、键合线5和塑封体6组成。所述引线框架1与芯片4通过镀银层2相连，键合线5从芯片4连接到引线框架1上，镀银层2上有植球3，塑封体6包围了引线框架1、镀银层2、植球3、芯片4和键合线5，芯片4、键合线5、植球3和引线框架1构成了电路的电源和信号通道。所述引线框架1上有镀银层2，镀银层2上有植球3和芯片4，植球3在芯片4的两端，镀银层2、植球3和芯片4都在引线框架1的一侧。

植球3为金、铜或者合金球。

键合线5为金线、铜线或合金线。

一种采用植球优化技术的框架csp封装件的制作工艺，主要流程如下：晶圆减薄→划片→框架镀银层→镀银层上植球→上芯→压焊→塑封→蚀刻引线框架→成品。

    如图所示，一种采用植球优化技术的框架csp封装件的制作工艺，其按照如下具体步骤进行：

（一）晶圆减薄：减薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.05mm；

（二）划片：150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；

（三）框架镀银层，镀银层上植球：镀银层2及植球同常规csp工艺，不同的是，镀银层2和植球3都在引线框架1的同一侧；

（四）上芯、压焊、塑封：上芯、压焊、塑封同常csp工艺，不同的是，芯片4和镀银层2、植球3都在引线框架1的同一侧；

（五）蚀刻引线框架：在产品完成塑封后，使用蚀刻液将引线框架1全部蚀刻后，镀银层2会全部露出，即可做接触点直接形成连通。

本实用新型可用于单芯片封装也可用于多芯片堆叠式封装。

本实用新型采用一种新型植球工艺所得，该工艺通过植球，即可实现在框架上直接进行芯片的焊接，省去设计框架的繁琐步骤以及较高的生产成本，此法灵活性高，进一步提高产品生产总值，显著提高产品可靠性，并实现降低产品生产成本。