[实用新型]具有压差补偿的线性恒流源电路有效

专利信息
申请号: 201320532393.1 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN203465628U 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 张子秋 申请(专利权)人: 上海芯芒半导体有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 201500 上海市金山区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 具有 补偿 线性 恒流源 电路
【权利要求书】:

1.一种具有压差补偿的线性恒流源电路,其特征在于,包括:第一放大器、第一NMOS管、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第二电阻、偏置电流源、第二放大器、第四NMOS管以及第三NMOS管;所述第一放大器以及所述第二放大器均具有正输入端、负输入端以及输出端;其中:

所述第一放大器的正输入端输入一恒定电压,其输出端与第一NMOS管的栅极相连,其负输入端与第一NMOS管的源极相连;

所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连;

所述第一PMOS管的漏极与其栅极相连,且所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极以及所述第三PMOS管的栅极相连,所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极以及所述第三PMOS管的源极均接一供电电压;

所述第三PMOS管的漏极同时与所述第二电阻的一端、所述偏置电流源的一端、所述第二NMOS管的栅极以及所述第三NMOS管的栅极相连;所述第二电阻的另一端与所述第一电阻的一端相连,且接地;所述第一电阻的另一端与所述第一NMOS管的源极相连;所述偏置电流源的另一端接供电电压;

所述第二PMOS管的漏极与所述第二放大器的正输入端以及所述第二NMOS管的漏极相连,所述第二NMOS管的源极接地;

所述第二放大器的负输入端与所述第三NMOS管的漏极以及第四NMOS管的源极相连,所述第三NMOS管的源极接地;所述第四NMOS管的栅极与所述第二放大器的输出端相连,其漏极作为电流输出端。

2.如权利要求1所述的具有压差补偿的线性恒流源电路,其特征在于,所述恒定电压为一带隙基准源的基准输出电压。

3.如权利要求1所述的具有压差补偿的线性恒流源电路,其特征在于,所述第二NMOS管以及所述第三NMOS管均工作在线性区。

4.如权利要求1或2或3所述的具有压差补偿的线性恒流源电路,其特征在于,所述第一PMOS管的宽长比与所述第二PMOS管的宽长比的比值为1:n,其中,n为大于等于1的自然数。

5.如权利要求1或2或3所述的具有压差补偿的线性恒流源电路,其特征在于,所述第一PMOS管的宽长比与所述第三PMOS管的宽长比的比值为1:h,其中,h为大于等于1的自然数。

6.如权利要求1或2或3所述的具有压差补偿的线性恒流源电路,其特征在于,所述第二NMOS管的宽长比与所述第三NMOS管的宽长比的比值为1:m,其中,m为大于等于1的自然数。

7.如权利要求3所述的具有压差补偿的线性恒流源电路,其特征在于,所述偏置电流源流过的电流与所述第二NMOS管的阈值电压的关系为:

VTH= Ibias×R3

其中,VTH为第二NMOS管的阈值电压,Ibias为偏置电流源流过的电流,R3为第三电阻的阻值。

8.如权利要求3所述的具有压差补偿的线性恒流源电路,其特征在于,所述第四NMOS管的宽长比与所述第三NMOS管的宽长比的比例大于10:1。

9.如权利要求1所述的具有压差补偿的线性恒流源电路,其特征在于,所述第一电阻为片上电阻或片外电阻。

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