[实用新型]一种晶体硅电池的栅线结构有效
| 申请号： | 201320531079.1 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN203398122U | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张会明;魏青竹;连维飞;保罗;苗成祥;任军林 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩;彭益波 |
| 地址： | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 电池 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，包括一个或多个连接的栅线单元，所述栅线单元包括主栅和若干细栅，所述主栅和细栅均印制于晶体硅电池的负极表面，且所述细栅交叉连接所述主栅；所述细栅朝所述主栅方向由细变宽设置。
2. 根据权利要求1所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅呈阶梯状。
3. 根据权利要求1所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅呈楔形。
4. 根据权利要求1-3任一所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述主栅和细栅相互垂直，所述细栅相对于所述主栅对称设置。
5. 根据权利要求4所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅间的距离相同。
6. 根据权利要求2或3所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅的最宽处和最窄处的宽度差为20±10μm。
7. 根据权利要求2所述的晶体硅电池的栅线结构，其特征在于，所述细栅为一级阶梯或多级阶梯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
