[实用新型]抗共模干扰的变压器有效
| 申请号: | 201320526045.3 | 申请日: | 2013-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN203377071U | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
| 发明(设计)人: | 廖邦勇;范继光 | 申请(专利权)人: | 崧顺电子(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/30;H01F27/36 |
| 代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 李悦;齐文剑 |
| 地址: | 518100 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 抗共模 干扰 变压器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种抗共模干扰的变压器。
背景技术
开关电源的共模干扰信号绝大部分来源于变压器,变压器内部初级的高频杂讯通过寄生电容(即变压器绕组之间的层间电容)耦合到次级绕组,再通过次级绕组与大地的寄生电容耦合到射频接收仪或通过输入输出线材到传导接收仪器。为解决该问题,一般在变压器初级绕组和次级绕组之间跨接Y电容,以使得共模干扰杂讯通过Y电容形成回路,有效降低共模干扰杂讯幅度,但会产生漏电流,形成低频杂音。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的旨在于提供一种既可抗高频干扰又不产生低频杂讯的变压器。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种抗共模干扰的变压器,其包括绕线座、初级绕组、主屏蔽绕组、次级绕组和辅助屏蔽绕组;初级绕组、主屏蔽绕组、次级绕组和辅助屏蔽绕组依序自内而外地套设于该绕线座外;
该初级绕组包括第一子绕组和第二子绕组,该第一子绕组的起线端和收线端分别设于绕线座的第二引脚和第三引脚,该第二子绕组的起线端和收线端分别设于绕线座的第三引脚和第五引脚;第一子绕组和第二子绕组并绕构成上述初级绕组。
进一步地,该主屏蔽绕组的起线端设于绕线座的第四引脚,其收线端悬空;该辅助屏蔽绕组的起线端和收线端分别设于绕线座的第一引脚和第四引脚。
进一步地,抗共模干扰的变压器还包括安装于绕线座内的磁芯,该磁芯通过导线电性连接第四引脚。
进一步地,磁芯上贴设导电片,一导线的一端焊接于该导电片,该导线的另一端电性连接第四引脚。
进一步地,该磁芯外套设一胶套,胶套外套设一背胶铜带圈,该背胶铜带圈通过导线电性连接第四引脚。
进一步地,该初级绕组的层数为2层,第一子绕组和第二子绕组的匝数相同。
进一步地,该主屏蔽绕组由四线并绕形成。
进一步地,该次级绕组的起线端和收线端分别设于绕线座的第六引脚和第八引脚。
进一步地,该辅助屏蔽绕组由双线并绕形成,该辅助屏蔽绕组的层数为1层。
进一步地,在辅助屏蔽绕组和该次级绕组之间安装有挡墙。
本实用新型的有益效果如下:
1、上述实用新型的初级绕组由第一子绕组和第二子绕组并绕构成,第一子绕组的收线端与第二子绕组的起线端共用第三引脚,从而使得第一子绕组和第二子绕组所产生的电磁干扰相互抵消,还利于减小层间电容,从而减小共模干扰,优选地,第一子绕组和第二子绕组的匝数相同时,初级绕组的抗电磁干扰效果最佳。
2、上述实用新型的主屏蔽绕组和辅助屏蔽绕组构成内外屏蔽作用,辅助屏蔽绕组的收线端和该主屏蔽绕组的起线端共用第四引脚,从而使得辅助屏蔽绕组和该主屏蔽绕组同相位,有利于减小变压器的层间电容,从而降低变压器的共模干扰。
3、主屏蔽绕组和辅助屏蔽绕组均通过第四引脚连接该磁芯和该背胶铜带圈,可大大减小层间电容,既可保证良好的EMI效果,还可减小共模干扰。
附图说明
图1为本实用新型抗共模干扰的变压器的较佳实施方式的局部剖面示意图。
图2为本实用新型抗共模干扰的变压器的较佳实施方式的正视图。
图3为本实用新型抗共模干扰的变压器的较佳实施方式的右视图。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施方式,对本实用新型做进一步描述:
请参见图1至图3,本实用新型涉及一种抗共模干扰的变压器,其较佳实施方式包括磁芯、绕线座40、初级绕组10、主屏蔽绕组20、次级绕组30和辅助屏蔽绕组50。
初级绕组10、主屏蔽绕组20、次级绕组30和辅助屏蔽绕组50依序自内而外地套设于该绕线座40外。
该初级绕组10包括第一子绕组和第二子绕组,该第一子绕组的起线端和收线端分别设于绕线座40的第二引脚PIN2和第三引脚PIN3,该第二子绕组的起线端和收线端分别设于绕线座40的第三引脚PIN3和第五引脚PIN5。第一子绕组和第二子绕组平整无交叉地并绕构成至少一层的初级绕组10,本实施例中,该初级绕组10的层数为2层。由于第一子绕组的收线端与第二子绕组的起线端共用第三引脚PIN3,该第一子绕组和第二子绕组形成串联电性连接,当给初级绕组10通电时,显然,第一子绕组和第二子绕组的电流方向将相反,从而使得第一子绕组和第二子绕组所产生的电磁干扰相互抵消,还利于减小层间电容,从而减小共模干扰,优选地,第一子绕组和第二子绕组的匝数相同时,初级绕组10的抗电磁干扰效果最佳。
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