[实用新型]一种半导体器件阴极结构

权利要求书

1.一种半导体器件阴极结构，包括阴极区域及分布在阴极区域上的阴极区短路点、以圆心为中心门极的同心圆环、以圆心为中心的放大门极圆环和放大门极延长线指条，其特征在于：所述的放大门极延长线指条包括呈辐射状均匀分布的直线型内指条；该直线型内指条的一端插入并与放大门极圆环连接；直线型内指条的另一端连接有V字型外指条，该V字型外指条的两个边外指条对称，且均为呈钝角夹角的两段；各V字型外指条的外端点在所在的圆周上均匀分布；直线型内指条、V字型外指条的夹角边缘为圆形。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件阴极结构，其特征在于：所述的直线型内指条数为4∽12条。

3.根据权利要求1或2所述的一种半导体器件阴极结构，其特征在于：所述的直线型内指条宽度大于V字型外指条宽度。

4.根据权利要求1或2所述的一种半导体器件阴极结构，其特征在于：所述的V字型外指条的两个边外指条夹角为30∽160°；每个边外指条上的呈钝角夹角为100∽165°。

5.根据权利要求2所述的一种半导体器件阴极结构，其特征在于：所述的直线型内指条数为8∽12条。

6.一种半导体器件阴极结构，包括阴极区域及分布在阴极区域上的阴极区短路点、以圆心为中心门极的同心圆环、以圆心为中心的放大门极圆环和放大门极延长线指条，其特征在于：所述的放大门极延长线指条包括呈辐射状均匀分布的直线型指条；该直线型指条的一端插入并与放大门极圆环连接；该直线型指条上叠加有与直线型指条连接的、均匀分布的环形指条；直线型指条及其与环形指条的夹角边缘为圆形。

7.根据权利要求6所述的一种半导体器件阴极结构，其特征在于：所述的环形指条为以圆心为中心的圆环形指条。

8.根据权利要求6或7所述的一种半导体器件阴极结构，其特征在于：所述的环形指条数为2∽6条。

9.根据权利要求1或6所述的一种半导体器件阴极结构，其特征在于：所述的阴极区短路点排列为正四边形或正六边形或正八边形、或其任2种组合排列。

10.根据权利要求1或6所述的一种半导体器件阴极结构，其特征在于：所述的阴极区短路点直径为0.06∽0.6mm，间距为0.4∽3.5mm。