[实用新型]具有光冷/光热转换功能的半导体元器件有效
| 申请号: | 201320518340.4 | 申请日: | 2013-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN203456484U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
| 发明(设计)人: | 赵峥;王宇昶 | 申请(专利权)人: | 赵峥;王宇昶 |
| 主分类号: | H01L31/0525 | 分类号: | H01L31/0525 |
| 代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
| 地址: | 上海市徐汇区田*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有光 光热 转换 功能 半导体 元器件 | ||
1.一种具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,包括从上至下依次排列的具有光伏效应的太阳能电池层、第一导热绝缘层、第一导电导热层、具有帕尔贴效应的P N结层、第二导电导热层、第二导热绝缘层以及散热片;其中:
所述太阳能电池层将太阳能转化成电能,其具有阳极及阴极;
所述第一导热绝缘层使所述太阳能电池层与所述第一导电导热层之间电绝缘,但热传导;
所述第一导电导热层将所述具有帕尔贴效应的PN结层产生的冷或热进行传递,且所述第一导电导热层包括多个第一导电导热单元;
所述具有帕尔贴效应的P N结层包括多个PN结,每个PN结与一个第一导电导热单元对应,每个PN结包括P型半导体和N型半导体,所述P型半导体和所述N型半导体通过与其对应的第一导电导热单元相连,形成PN结;
所述第二导电导热层将所述具有帕尔贴效应的PN结层产生的热或冷进行传递,且所述第二导电导热层包括多个第二导电导热单元;所述多个PN结中的第一个PN结的P型半导体通过一个第二导电导热单元引出,形成所述具有帕尔贴效应的P N结层的阳极;所述多个PN结中的最后一个PN结的N型半导体通过一个第二导电导热单元引出,形成所述具有帕尔贴效应的PN结层的阴极;且所述多个PN结之间依次通过对应的第二导电导热单元串联连接;
所述第二导热绝缘层使所述第二导电导热层与所述散热片之间电绝缘,但热传导;
所述散热片将所述第二导热绝缘层传导的热或冷进行传递;
当所述太阳能电池层的阳极和阴极分别与所述具有帕尔贴效应的PN结层的阳极和阴极相连时,所述第二导电导热层吸收热量制冷,所述第一导电导热层释放热量制热;反之,所述第二导电导热层释放热量制热,所述第一导电导热层吸收热量制冷。
2.如权利要求1所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述太阳能电池层的阳极和阴极分别引出接线端子,所述具有帕尔贴效应的PN结层的阳极和阴极分别引出接线端子,所述太阳能电池层的阳极和阴极的接线端子通过一冷热切换开关控制,使其分别与所述具有帕尔贴效应的PN结层的阳极和阴极的接线端子相连或分别与所述具有帕尔贴效应的PN结层的阴极和阳极的接线端子相连。
3.如权利要求1或2所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述太阳能电池为晶硅太阳能电池或非晶硅太阳能电池或异致结太阳能电池或III-V族元素的太阳能电池。
4.如权利要求3所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述非晶硅太阳能电池为薄膜太阳能电池或柔性太阳能电池。
5.如权利要求3所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述异致结太阳能电池为HIT太阳能电池。
6.如权利要求3所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述III-V族元素的太阳能电池为聚光电池。
7.如权利要求1或2所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述第一导热绝缘层与所述第二导热绝缘层为陶瓷。
8.如权利要求1或2所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述散热片的材质为金属或工程塑料或导热橡胶或陶瓷。
9.如权利要求8所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述散热片的材质为铝合金。
10.如权利要求1或2所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述具有帕尔贴效应的PN结层的半导体材料为Bi2Te3/Sb2Te3体系半导体材料、PbTe体系半导体材料、SiGe体系半导体材料、方钴矿型热电材料、Zn4Sb3、金属硅化物、氧化物、纳米复合材料中的任一种。
11.如权利要求10所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述方钴矿型热电材料为CoSb3。
12.如权利要求10所述的具有光冷/光热转换功能的半导体元器件,其特征在于,所述金属硅化物为β-FeSi2、MnSi2、CrSi2中的任一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赵峥;王宇昶,未经赵峥;王宇昶许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320518340.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种槽体中传动辊的调节机构
- 下一篇:带有新型主栅电极图形的太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





