[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320515864.8 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN203444218U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 韩承佑;李文齐 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/64 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基板;
设置在基板上的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极相连的像素电极、以及设置在所述像素电极和所述基板之间的公共电极;
其特征在于,还包括设置在所述公共电极和所述基板之间,并与所述漏极相连的导电层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极为条状电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极为板状或条状电极。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层为板状或条状。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层与所述漏极同层设置且材料相同。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层与所述漏极不同层设置,且所述导电层为透明导电材质。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括设置在所述薄膜晶体管与所述公共电极之间的有机透明绝缘层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述漏极通过设置在所述有机透明绝缘层上的过孔与所述像素电极相连。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括有源层;
其中,所述有源层包括非晶硅图案层和n+非晶硅层;或者所述有源层包括金属氧化物半导体有源层。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,在所述有源层包括金属氧化物半导体有源层的情况下,所述阵列基板还包括:刻蚀阻挡层。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至10任一项所述的阵列基板。
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