[实用新型]一种耐冲击的半导体封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，更确切地说是涉及一种耐冲击的半导体封装结构。

背景技术

在半导体封装技术方面，现有的技术通常采用环氧树脂进行封装，环氧树脂的耐冲击性能差，会将外部冲击直接传递给被封装的半导体器件，难以满足耐冲击半导体封装的需要。

由此可见，上述现有半导体封装结构亟待加以改进。

发明内容

本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有的半导体封装结构存在的缺陷，而提供一种耐冲击的半导体封装结构。

本实用新型解决其主要技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种耐冲击的半导体封装结构，包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层和环氧树脂层，氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，环氧树脂层覆盖氟硅橡胶层，氟硅橡胶层的厚度范围为0.5毫米到2毫米。

本实用新型的有益效果在于，采用柔软的氟硅橡胶层位于被封装半导体器件和环氧树脂层之间，可以起到耐冲击的作用。

附图说明

图1为本实用新型的截面结构示意图。

附图标记说明：1、被封装半导体器件；2、氟硅橡胶层；3、环氧树脂层。

具体实施方式

以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

请参阅图1所示，本实用新型的一种耐冲击的半导体封装结构，包括被封装半导体器件1、氟硅橡胶层2和环氧树脂层3，氟硅橡胶层2覆盖被封装半导体器件1，环氧树脂层3覆盖氟硅橡胶层2，氟硅橡胶层2的厚度范围为0.5毫米到2毫米。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。