[实用新型]一种用于机顶盒的保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及机顶盒，特别涉及一种用于机顶盒的保护电路。

背景技术

机顶盒在频繁开关机的情况下，所产生的瞬间高电压会损害机顶盒硬件设备，在机顶盒中加一个保护电路，就可以保证不会频繁给机顶盒硬件设备通断电，从而保护机顶盒，所以在用户开关机时保护机顶盒显得很重要。

实用新型内容

为实现上述设想，本实用新型提供一种一种用于机顶盒的保护电路。

本实用新型所采取的技术方案是：

一种用于机顶盒的保护电路，所述保护电路连接在机顶盒电源总输入端和机顶盒供电模块之间，所述保护电路包括一个联动开关SW，所述联动开关SW的同一侧两个静触点2、3分别连接市电和机顶盒电源总输入端，机顶盒电源总输入端依次串联电阻R1和电容C1，电容C1另一端接地，所述联动开关SW的另一侧两个静触点1、4分别连接电容C1的两端；所述电容C1与电阻R1的节点依次连接三极管开关电路和MOS管开关电路，所述MOS管开关电路的输出端连接机顶盒供电模块。

所述三极管开关电路包括NPN三极管Q2，所述三极管Q2的基极通过电阻R3连接电容C1，发射极接地，集电极依次连接电阻R4和R2连接+5V 电压；所述MOS管开关电路包括PMOS场效应管Q1，场效应管Q1的栅极连接电阻R4，源极连接+5V电压，漏极连接机顶盒供电模块。

本实用新型利用联动开关SW的特殊开关模式，使得在关机时能快速让电容放电，开机时电容充电延迟触发开机，从而保护机顶盒硬件设备免遭频繁开关机的损伤，提高机顶盒的安全性。 

附图说明

图1是本实用新型所述的保护电路的实施例原理图。

具体实施方式

为方便本领域的技术人员了解本实用新型的技术内容，下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步的详细说明。

如图1所示，本实用新型所揭示的用于机顶盒的保护电路，连接在机顶盒电源总输入端和机顶盒供电模块之间，即可实现在频繁开关机时保护机顶盒硬件设备的目的。具体的，保护电路包括一个联动开关SW，所述联动开关SW的同一侧两个静触点2、3分别连接市电和机顶盒电源总输入端，机顶盒电源总输入端依次串联电阻R1和电容C1，电容C1另一端接地，所述联动开关SW的另一侧两个静触点1、4分别连接电容C1的两端；所述电容C1与电阻R1的节点依次连接三极管开关电路和MOS管开关电路，所述MOS管开关电路的输出端连接机顶盒供电模块。所述三极管开关电路包括NPN三极管Q2，所述三极管Q2的基极通过电阻R3连接电容C1，发射极接地，集电极依次连接电阻R4和R2连接+5V 电压；所述MOS管开关电路包括PMOS场效应管Q1，场效应管Q1的栅极连接电阻R4，源极连接+5V电压，漏极连接机顶盒供电模块。

联动开关SW是机顶盒电压的总开关，当用户开机时，静触点2和3短路，静触点1和4断开，电源开始供电；当用户关机时，静触点2和3断开，电源断开，静触点1和4短路，电容C1两端短路，电容C1快速放电。

当用户打开机顶盒电源开关时，电容C1开始充电，当C1的电压超过某个特定的阈值电压时，NPN三极管Q2导通，使PMOS场效应管Q1的控制端栅极电压降低，从而控制场效应管Q1导通，供电模块输入高电平，给机顶盒的主芯片（CPU、flash、DDR等）和高频头硬件设备供电。机顶盒开机时电容C1有个充电的过程，实际上延迟了机顶盒设备的供电。当用户关闭机顶盒电源开关时，机顶盒断电，电容C1快速放电。 

当机顶盒开关频繁开关机时，第一次开机电容C1充电，在电容C1的电压没有达到阈值电压时三极管Q1没有导通，这时又快速关机，电容C1快速放电。下次再次开机时，因为电容C1已经快递放完电了，所以第二次开机过程和第一次一样。在快速反复开关机的过程中，机顶盒硬件设备都没有送电，从而保护了机顶盒。

上述实施例仅为本实用新型的其中具体实现方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些显而易见的替换形式均属于本实用新型的保护范围。