[实用新型]一种湿法刻蚀水膜赶液系统

说明书

技术领域

    本实用新型涉及湿法刻蚀硅片技术，具体是一种湿法刻蚀水膜赶液系统，利用阻水设施，实现硅片表面不易形成水纹状色斑的目的。

背景技术

随着太阳能电池湿法刻蚀技术的发展，漏电问题得到较好解决，同时碎片率较干法刻蚀有较大改善，且背面刻蚀后形成抛光面，有利于电性能提升。但同时湿法刻蚀也易造成刻蚀不完全或者过刻等问题，致使正反面导通，扩散面PN结被破坏，受光面积减少，从而导致漏电较大，电池性能急剧下降等问题。所以，湿法刻蚀的关键是要保证刻蚀完全，同时扩散面PN结不被破坏，减小漏电并最大限度的增加受光面积。

现有技术的技术方案：刻蚀机利用水膜喷淋覆盖技术，在扩散面喷淋水膜，利用SiO₂亲水性将水吸附在表面，使扩散面PN结不易遭到破坏，在减小漏电同时最大限度的增加受光面积，提升效率，增加成品外观直通率。

现有技术的缺点：硅片由DOD喷石蜡打印掩膜，经喷淋管喷水后，在上表面形成一层水膜，但由于石蜡的疏水性，水膜覆盖并不完整，硅片上表面较多区域没有水膜保护，刻蚀槽高浓度的酸液挥发破坏表面的PN结，影响电性能；同时，由于腐蚀作用，硅片表面易形成水纹状色斑，致使镀膜后外观不合格，影响直通率。为了减轻影响，通常会加大水膜喷水量，这样又造成水膜上的水溢流到刻蚀槽，导致刻蚀液浓度下降，酸耗量增加，成本上升，同时造成DI水浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种湿法刻蚀水膜赶液系统，使得水膜覆盖均匀，保护硅片正面PN结，同时减少水纹片。

本实用新型的目的主要通过以下技术方案实现：一种湿法刻蚀水膜赶液系统，包括若干滚轮，滚轮上方设置有喷淋装置，喷淋装置的一侧设置有阻水装置，阻水装置位于滚轮上方。

阻水装置为具有切口平整端的挡水板，挡水板的切口平整端面向滚轮。

挡水板的切口平整端面与滚轮的间距为0 mm-5mm。

滚轮上方放置有硅片。

硅片形成有水膜。

上述系统可使水膜覆盖完全，表面PN结不被破坏，确保电性能不受影响；同时不会造成水纹片等外观不合格片从而影响成品直通率。

可保证在水膜覆盖完全情况下减少水喷淋量，节约成本。

在喷淋装置一侧加装阻水装置。

优选的阻水装置的实现手段有2种，一种是具有切口平整端的挡水板，另一种是轴线与滚轮轴线平行的挡水滚轮。还有其他形式的挡水装置也可以替换使用。凡是利用阻挡、挤压等方式使水膜覆盖完整均可替代本方案，如在喷淋装置前段加装一根挡水滚轮，利用上下滚轮的挤压作用使水膜覆盖完整，同时去除多余的DI水。

固定一块塑料挡板作为挡水板，硅片经喷淋管喷水淋湿后，行进至挡水板处时，利用挡水板将硅片表面的水膜刮平，使水膜覆盖均匀，保护硅片表面的PN结，同时可以将多余的水刮掉，防止多余的水流入刻蚀槽。 

使用时，所有的滚轮均朝一个方向旋转，带动硅片向前行走，由喷淋装置喷射出来的水，在硅片上方形成一层水膜，利用阻水装置抵挡多余的水，使得水膜在硅片表面刮涂均匀。

优选的，挡水板远离滚轮的一端与喷淋装置连接。

优选的，挡水板的轴线与水平线呈10度至80度的夹角。

优选的，挡水板的轴线与水平线呈30度至60度的夹角。

优选的，挡水板的轴线与水平线呈45度的夹角。

优选的，阻水装置为轴线与滚轮轴线平行的挡水滚轮。

本实用新型的优点在于：水膜覆盖均匀，保护硅片正面PN结，同时减少水纹片等不合格品，提高直通率；塑料挡水板剪裁平整，利用极少水量即可保证水膜覆盖完全，节约用水，亦可避免多余的水流入刻蚀槽；塑料挡水板成本低廉，可用胶带粘贴固定，简便易行。

附图说明

     图1为本实用新型的侧视示意图。

图中的附图标记分别表示为：1-挡水板，2-喷淋装置，3-水膜，4-硅片，5-滚轮。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例1：

如图1所示。

一种湿法刻蚀水膜赶液系统，包括若干滚轮5，滚轮5上方设置有喷淋装置2，喷淋装置2的一侧设置有阻水装置，阻水装置位于滚轮5上方。

阻水装置为具有切口平整端的挡水板1，挡水板的切口平整端面向滚轮5。

挡水板的切口平整端面与滚轮的间距为0 mm-5mm。

滚轮5上方放置有硅片4。