[实用新型]一种新型镂空石墨载板的传输结构有效
申请号: | 201320501254.2 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN203367251U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 马煜隆;张恒;段甜健;杨东;姚骞;包崇彬 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677;H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 镂空 石墨 传输 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种结构,尤其是涉及一种新型镂空石墨载板的传输结构,属于光伏领域。
背景技术
在晶体硅太阳能电池的生产工艺中,为了电池片有良好减反射和钝化效果,同时保护好电池片的正面,通常会在电池片的正面镀上一层氮化硅膜。OTB镀膜机是较为常用的晶体硅太阳能电池镀膜设备,而作为传输的石墨载板在其中起到较为关键的作用。OTB是荷兰一家生产镀膜机的公司,由于其公司资金很雄厚,故生产的镀膜机在行业中命名为OTB镀膜机,在镀膜时,怎样使镀膜的膜层更为均匀,减反射和钝化效果更好,是提高镀膜后产品效率的一个发展方向。OTB常规型石墨载板在生产过程中,因产品和石墨载板是接触在一起的(同时会挡住下面加热管的部分热量),因此产品在进入工艺腔以后产品的正面和背面的受热会不均匀,边缘和中心的受热也不均匀。这样就会导致产品中心和边缘,刚进入工艺腔和出工艺腔时的膜层均匀性存在差异,产品的膜层均匀性和钝化效果没有到达一个较为理想的状态。自太阳能电池进行工业化生产以来,镀膜的减反射和钝化效果一直时影响晶体太阳能电池效率的一个重要因数,同时也是太阳能电池使用寿命的一个重要影响指标,其在太阳能电池的工业化生产中有举足轻重的作用。而设备的生产方式(用载板进行传输生产)决定了传输在生产过程中的影响因数,而常规全石墨载板的传输生产是其特点之一。常规的全石墨载板的传输生产中电池片在载板上传输到工艺腔内工作时受热不均,减反射和钝化效果不好,导致效率不能达到预期;膜层均匀性较差,导致产品在使用过程中寿命相对较短,产品衰减速度相对较快。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有电池片在载板上传输到工艺腔内工作时受热不均,减反射和钝化效果不好,导致效率的问题,设计了一种新型镂空石墨载板的传输结构,该传输结构有效的改善了产品在工艺腔内生产过程中的受热不均的状况,提高了产品的减反射和钝化效果,同时大幅提高了产品效率,并有效缓解了产品的衰减速度。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现:一种新型镂空石墨载板的传输结构,包括石墨载板,所述石墨载板中设置有若干个安装结构,且安装结构与石墨载板中的对称端面连通,安装结构之间在石墨载板上构成一个矩形阵列,相邻的安装结构之间的距离相等。利用多个安装结构,将电池片安装在石墨载板上,使得电池片在载板上传输到工艺腔内工作时受热均匀,反射和钝化的效果好,效率能达到预期目的。
进一步地,所述安装结构包括凹槽以及通孔,凹槽为石墨载板的端面内凹形成的结构,通孔为凹槽的底面内凹形成的结构,且通孔贯穿石墨载板中远离凹槽开口的一端,通孔的中心线和凹槽的中心线重合。在现有的OTB石墨载板上进行改造,将石墨载板上放置产品的位置即凹槽的底部掏空,形成镂空状态,只留下边缘能将产品放置好的位置。
进一步地,所述通孔的尺寸小于凹槽的底面尺寸。为了避免电池片从通孔中漏出,需要将通孔的尺寸设计得小于凹槽的尺寸,使得固定片能够在凹槽中放置稳定。
进一步地,所述凹槽的开口尺寸为156mm~158mm*156mm~158mm。凹槽是用于放置电池片,凹槽的开口尺寸根据放置的电池片的端面尺寸进行设计,一般电池片的尺寸是156mm*156mm。
综上所述,本实用新型的有益效果是:
(1)可以减少石墨的消耗量,减少原材料的成本,由于石墨载板是消耗品,需要进行持续采购,设置通孔后,减少了石墨的体积;
(2)可以提高太阳能电池片的减反射和钝化的效果,从而提高太阳能电池的效率;
(3)因镀膜的膜层更为均匀,可以延长太阳能电池的使用寿命,减小产品衰减的速度。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
附图中标记及相应的零部件名称:1—石墨载板;2—凹槽;3—通孔。
具体实施方式
下面结合实施例及附图,对本实用新型作进一步的详细说明,但本实用新型的实施方式不仅限于此。
实施例1:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造