[实用新型]人工合成氟金云母片的烧制生产线

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种人工合成氟金云母片的生产设备，更具体地说涉及一种人工合成氟金云母片的烧制生产线。 

背景技术

     人工合成氟金云母片KMg₃(A1Si₃O₁₀)F₂（又称合成云母），是由化工原料、优质的矿物原料经高温反应、熔融、冷却、析晶、生长而成的层状硅酸盐化合物。 

而人工合成氟金云母粉是上述人工合成氟金云母片经由湿法研磨所得到的高性能粉体。它不含羟基，所以耐温性更好；它由化合物直接烧制而成，所以人工合成氟金云母粉具有很高的纯度和白度，广泛应用于珠光云母粉、化妆品、塑料和陶瓷等行业中。同时，人工合成氟金云母以其优异的电气绝缘性能，广泛应用于电气绝缘、电子工业。 

目前烧制人工合成氟金云母片（烧制获得的应该是片吧！）的炉位设计，一般采用直列的固定炉位，或采用轨道式设计。在烧制人工合成氟金云母片中，一般采用低电压高电流进行熔制，并且要求输入每个炉的电功率必须一致，这就要求连接到每个炉的母线（一般采用大截面的铜排母线）具有一定的截面积和一样的长度，以保证每个炉在熔制过程中，母线的损耗和输入炉中的电功率的一致。 

对于轨道式设计，虽然母线长度固定，但炉子在熔制后，必须移动，生产上是很不安全的，主要表现在崩炉，影响人工合成氟金云母片的晶体生长，造成晶体缺陷。 

采用直列式布置炉位，从控制柜到炉子的连接母线是不一样的长度，每炉从控制柜输出一样的电功率，而不一样长度的母线损耗的电功率随着母线长度的增加，损耗增加，所以实际输入炉中的电功率就不同。 

发明内容    

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术在炉子不移动的情况下无法保证每炉在熔制过程中输入炉中的电功率都一致的缺点，提供一种人工合成氟金云母片的烧制生产线，这种人工合成氟金云母片的烧制生产线能够让控制柜到各个炉子的连接母线长度保持一致，从而使得输出到每个炉中的电功率相同。采用的技术方案如下：

一种人工合成氟金云母片的烧制生产线，包括控制系统、至少一条可拆卸的连接母线和多个烧制炉，所述连接母线连接控制系统与所述多个烧制炉中的一个烧制炉，其特征在于：所述各烧制炉到控制系统的距离相同。 

较优的方案，所述各烧制炉均位于同一支撑面上，并且所有的烧制炉在沿着一个圆的周边依次顺序排列并且均匀分布在该圆的周边上。这样，所述连接母线能够从支撑面上该圆中心伸出连接某一个烧制炉，它就能够连接其它所有的烧制炉，因为各烧制炉到该圆中心的距离是相同的。 

更优的方案，所述圆的直径范围为8-12米。 

较优的方案，所述连接母线的数目为三条。 

较优的方案，所述烧制炉的数目为8个。 

本实用新型对照现有技术的有益效果是，由于各烧制炉到控制系统的距离相同，其结构简单、便于安装，能够与后续生产工艺进行有效的搭配，由于电功率一致，烧制过程稳定，生产出来的人工合成氟金云母片，质量好且稳定，经后续工艺加工成的人工合成氟金云母粉，适合制造高端化妆品及珠光粉。 

附图说明   

图1是本实用新型优选实施例的结构示意图；

图2是图1所示优选实施例采用的厂房的结构示意图。

具体实施方式  

如图1、2所示，本优选实施例中，人工合成氟金云母片的烧制生产线，包括控制系统、3条可拆卸的连接母线12和8个烧制炉，8个烧制炉分别为第一烧制炉1、第二烧制炉2、第三烧制炉3、第四烧制炉4、第五烧制炉5、第六烧制炉6、第七烧制炉7、第八烧制炉8。图1中所述连接母线12连接控制系统与第三烧制炉3，所述各烧制炉到控制系统的距离相同。

如图1所示，所述各烧制炉均位于同一支撑面上，并且所有的烧制炉在沿着一个圆的周边依次顺序排列并且均匀分布在该圆的周边上。 

所述圆的直径范围为10米。 

所述控制系统包括控制柜14、控制台15、变压器13，所述控制柜14与控制台15电连接，所述控制柜14与变压器13电连接，所述变压器13与连接母线12连接。 

下面介绍一下厂房结构： 

设计一个8角形的厂房，分为两层。底层10安装变压器13，第二层安装烧制炉、控制柜14及控制台15。第二层用墙壁17分为工作车间9和操作间11，工作车间9的第二层中心开孔，以便连接母线12通过。工作车间9顶部的屋顶开有通风口18。