[实用新型]应用于多晶硅电子束熔炼的水冷铜坩埚有效

专利信息
申请号: 201320498035.3 申请日: 2013-08-15
公开(公告)号: CN203392869U 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 谭毅;袁涛;刘子成;陈磊;温书涛 申请(专利权)人: 青岛隆盛晶硅科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266234 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 应用于 多晶 电子束 熔炼 水冷 坩埚
【权利要求书】:

1.一种应用于多晶硅电子束熔炼的水冷铜坩埚,包括埚体和底座,埚体底部通过连接件与底座固定连接,埚体与底座之间沿埚体外壁形成空腔,该空腔下端两侧设置有进水口,上端两侧设置有出水口,其特征在于位于空腔内的进水口处均设置有挡板,挡板与进水口成30~60度角,且两挡板互相平行。

2.根据权利要求1所述的应用于多晶硅电子束熔炼的水冷铜坩埚,其特征在于该埚体的熔炼区为圆柱形结构。

3.根据权利要求1所述的应用于多晶硅电子束熔炼的水冷铜坩埚,其特征在于该埚体的熔炼区为圆台形结构,且上部直径大于底部直径。

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