[实用新型]一种具有过流保护的高频逆变电路有效
申请号: | 201320495701.8 | 申请日: | 2013-08-14 |
公开(公告)号: | CN203423841U | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 左涛;李令言;葛玲;姜岩;杨玉玲;黄富传 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十六研究所;中国电子科技集团公司第十六研究所峰泰技术开发公司;左涛 |
主分类号: | H05B41/285 | 分类号: | H05B41/285 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人: | 奚华保 |
地址: | 230043 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 保护 高频 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及无极灯技术领域,特别是与无极灯电子镇流器中的高频逆变电路有关。
背景技术
随着社会不断发展,对节能环保绿色照明的需求不断增加,高频电磁感应无极灯(下面简称无极灯)由于没有电极被称为无极灯,其理论使用寿命可达到6万小时,具有节能、光效高等特点,将会成为取代卤素灯和高压纳灯的第四代绿色照明光源。影响无极灯寿命的主要有两个因素,一是光源本身,二是电子镇流器的工作寿命,目前来讲电子镇流器成为影响无极灯寿命最主要因素。目前的高频无极灯电子镇流器大都采用自激振荡式半桥逆变电路,工作频率高达2.65MHz,组成半桥电路的开关管MOSFET在如此高的频率下工作,上下臂MOSFET管驱动信号的死区时间不合理,以及MOSFET管长时间工作损耗大、温度高、老化速度快,都会导致MOSFET直通,短时间内使开关管烧毁。半桥电路开关管发生直通时,等于将APFC输出的400V高压直接加到MOSFET管漏、源两极,流过MOSFET管漏极的电流会急剧增加,甚至会导致电路板不可修复的损坏。
目前的高频无极灯电子镇流器都有异常保护电路,采用输出电流或是电压反馈,触发保护电路工作,从而关断上管或是下管,停止谐振,起到保护作用。但这些反馈保护电路主要针对灯泡异常导致的谐振电路过压或过流问题。
发明内容
为了克服无极灯高频电子镇流器由于高频逆变电路的MOSFET管直通导致的烧毁、炸管等问题,本实用新型给出了一种具有过流保护的高频逆变电路。
为了达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案来实现:一种具有过流保护的高频逆变电路,包括驱动保护电路、点火电路、驱动电路、半桥逆变电路、谐振电路和异常保护电路;所述驱动保护电路与异常保护电路电连接,启辉点火电路与输入电源连接,所述点火电路与驱动电路电连接,所述驱动电路和触发电路与半桥逆变电路电连接,所述半桥逆变电路与谐振输出电路电连接,与所述谐振电路及驱动电路异常保护电路相连接。
所述驱动保护电路判断半桥逆变电路的两个MOSFET开关管Q1和Q2的真假过流故障,对于假过流故障,驱动保护电路快速恢复正常工作状态;对于真过流故障,驱动保护电路将MOSFET开关管驱动电压钳位在导通电压以下。
所述高频逆变电路是基于自激震荡的半桥式逆变电路,所述驱动电路的自激反馈电路是变压器反馈电路。
所述谐振电路为LC谐振电路。
该高频逆变电路还包括设置于电源输入端的输入滤波电容C1与C2、电容式高频滤波电路。
输入滤波电容C1与C2,用于滤除输入直流电压中的高频信号,吸收浪涌电流,减少对后级高频半桥逆变电路的电磁干扰。
所述驱动保护电路,用于半桥逆变电路的两个开关管Q1和Q2两端电压升高时,判断是否发生了直通过流故障,具有判断真假过流故障的功能,而且对于假过流现象能够恢复到正常工作状态,将开关管栅源两端电压钳位在导通电压以下,从而保护开关管,尽可能避免电路板的不可恢复性损坏,在故障排除后,还可以重新启动电路工作。
所述点火电路,用于提供无极灯启辉时的点火电压(1300V~3000V)。
所述驱动电路和半桥式逆变电路中包括自激反馈回路、高频变压器、MOSFET管钳位电路和MOSFET管,用于为MOSFET管提供稳定的自激震荡驱动电压,从而输出高频震荡电压,通过谐振电路5给无极灯供电。
在本实用新型所述的具有过流保护的高频逆变电路中,还包括输出异常保护电路,用于灯泡漏气,功率激增等异常工作状态的保护。
本实用新型的有益效果:通过驱动保护电路可以有效防止由半桥开关管直通导致的电路故障,同时可以实现自激振荡产生2.65M高频信号,并且具有灯泡损坏保护等,从而有效保证高频逆变电路的安全可靠性,提高了高频无极灯的使用寿命。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为半桥逆变电路上臂驱动保护电路原理图。
图1中,1.驱动保护电路,2.点火电路,3.驱动电路,4.半桥逆变电路,5.谐振电路,6.异常保护电路。
具体实施方式
以下结合附图用较佳的实施例对本实用新型做详细的说明。对于驱动保护电路,这里以半桥逆变电路的上臂MOSFET管驱动保护电路为例进行说明,下臂MOSFET开关管驱动保护电路原理和功能类似,不再赘述。
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