[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201320493097.5 | 申请日: | 2013-08-13 |
| 公开(公告)号: | CN203466191U | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
| 发明(设计)人: | 代青;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括:第一电极层、第二电极层、以及设置在第一电极层和第二电极层之间的发光层,其特征在于,所述第一电极层为透明电极层,其设置在掺杂金属微纳米颗粒的平坦化层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属微纳米颗粒材料为金、银、铝中任意一种。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属微纳米颗粒的形态为球状、棱柱状、立方体状、核-壳结构中任意一种。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属微纳米颗粒的粒径在1nm-100nm之间。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极层为阳极层,其材料为氧化铟锡、氧化锌、氧化铟镓锌中任意一种。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括薄膜晶体管,
所述薄膜晶体管的漏极通过贯穿其上方平坦化层的接触过孔与有机电致发光器件的第一电极层连接。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~6中任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





