[实用新型]一种发光二极管外延片发光层

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED外延片技术领域，具体涉及一种发光二极管外延片发光层。

背景技术

目前，蓝绿光发光二极管的主流是在蓝宝石或碳化硅衬底上生长GaN材料，其中绝大部分采用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石衬底与GaN材料之间较大的晶格失配与热失配，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷，例如穿透位错。实验证明这些缺陷是III族氮化物基发光二极管中反向漏电电流产生的一个重要途径。现有的外延片在生产过程中，发光层厚度较薄，应用于在大电流、大功率芯片电子drop效应强不能很好的将电子有效的束缚在量子阱内，而进入P型GaN层，导致发光二极管的亮度差。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种发光二极管外延片发光层，该技术方案有效解决传统外延片的发光层厚度较薄，从而导致发光二极管的亮度差的问题。

本实用新型通过以下技术方案实现：

一种发光二极管外延片发光层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N—SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）包括16个由InGaN层（51）、GaN层（52）构成的层单元（53）叠加构成。

本实用新型进一步技术改进方案是：

所述每个层单元（53）的InGaN层（51）的厚度为4 nm，GaN层（52）的厚度为10nm。

本实用新型与现有技术相比，具有以下明显优点：本实用新型将传统外延片的MQW发光层的厚度，由传统的10个层单元，增加为16个层单元，可有效的将电子束缚于量子阱内，而不会让电子穿过量子阱进入P型GaN层，可明显提升提升发光二极管的亮度。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图1中11为蓝宝石衬底层；2为Buffer—缓冲层；3为N型GaN层；4为N—SLS层；5为MQW发光层；6为P型GaN层；

图2为本实用新型MQW发光层的层单元结构示意图。

具体实施方式

如图1、2所示，本实用新型包括蓝宝石衬底层1、Buffer—缓冲层2、N型GaN层3、N—SLS层4、MQW发光层5以及P型GaN层6， MQW发光层5包括16个由InGaN51层、GaN层52构成的层单元53叠加构成，层单元53的InGaN51层的厚度为3 nm，GaN层52的厚度为10nm。

本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。