[实用新型]一种发光二极管外延片接触层

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED外延片技术领域，具体涉及一种发光二极管外延片接触层。 

背景技术

目前，蓝绿光发光二极管的主流是在蓝宝石或碳化硅衬底上生长GaN材料，其中绝大部分采用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石衬底与GaN材料之间较大的晶格失配与热失配，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷，例如穿透位错。实验证明这些缺陷是III族氮化物基发光二极管中反向漏电电流产生的一个重要途径。现有的外延片在生产过程中，接触层通常为掺镁的InGaN层构成，会导致发光二极管的Vf电压上升，从而降低发光二极管的光效。 

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种发光二极管外延片接触层，该技术方案有效解决传统外延片的接触层为掺镁的InGaN层构成，从而发光二极管的Vf电压上升，从而降低发光二极管的光效。 

本实用新型通过以下技术方案实现： 

一种发光二极管外延片接触层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N—SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述P型GaN层（6）上方设置有掺硅InGaN层（7）构成的接触层。

本实用新型与现有技术相比，具有以下明显优点：本实用新型将传统外延片的接触层由掺硅InGaN层构成，可以降低发光二极管的Vf电压上升，从而提高发光二极管的光效。 

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图； 

图1中1为蓝宝石衬底层；2为Buffer—缓冲层；3为N型GaN层；4为N—SLS层；5为MQW发光层；6为P型GaN层； 7为掺硅InGaN层。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型包括蓝宝石衬底层1、Buffer—缓冲层2、N型GaN层3、N—SLS层4、MQW发光层5以及P型GaN层6，所述P型GaN层6上方设置有掺硅InGaN层7构成的接触层。 

本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。