[实用新型]多芯片无引线组件

权利要求书

1.一种多芯片无引线组件，其特征在于，包括： 

具有多个电极的集成电路； 

具有第一和第二源极、第一和第二栅极和公共漏极的双沟道MOSFET； 

具有多个引线的引线框架，每个引线在所述组件的外底表面上有暴露的接触表面，每个引线用于将电功率传送入所述集成电路和所述双沟道MOSFET，或用于将电信号传送入或传送出所述集成电路和所述双沟道MOSFET； 

密封绝缘树脂，其将所述引线框架、所述集成电路和所述双沟道MOSFET嵌入到组件中，并在所述组件的所述外底表面上限定出所述引线的暴露的接触表面； 

其中，第一引线被连接到所述集成电路的第一电极和一个双沟道MOSFET的栅极，第二引线被连接到所述集成电路的第二电极和另一个双沟道MOSFET的栅极，第三引线被连接到所述集成电路的第三电极和所述双沟道MOSFET之一的源极，第四引线被连接到所述集成电路的第四电极和另一个双沟道MOSFET的源极。 

2.根据权利要求1所述的多芯片无引线组件，其中，所述多个引线中除了第一、第二、第三、第四引线之外的一个或多个其它引线被分别连接到所述集成电路的所述多个电极中除了第一、第二、第三、第四电极之外的相应的一个或多个其它电极。 

3.根据权利要求1所述的多芯片无引线组件，其中，所述引线框架具有一个或多个半蚀刻的焊垫，每个焊垫用于接纳以倒装法安装的MOSFET。 

4.根据权利要求1所述的多芯片无引线组件，其中，所述集成电路包括一个或多个凸起表面，所述凸起表面用于附着于所述引线框架的引线。 

5.根据权利要求4所述的多芯片无引线组件，其中，所述引线框架包括第二源极焊垫，所述第二源极焊垫具有两个外部引线和向所述集成电路的第二电极延伸的内部手指。 

6.根据权利要求1所述的多芯片无引线组件，其中，所述集成电路具有用于Vdd、Vm和TEST的电极。 

7.根据权利要求1所述的多芯片无引线组件，其中，所述引线框架是半蚀刻的。 

8.根据权利要求1所述的多芯片无引线组件，进一步包括夹片，所述夹片附着于所述双沟道MOSFET的漏极。 

9.一种多芯片无引线组件，其特征在于，包括： 

具有多个电极的集成电路； 

具有第一和第二源极、第一和第二栅极和公共漏极的双沟道MOSFET； 

具有多个引线的引线框架，每个引线在所述组件的外底表面具有暴露的接触表面，每个引线用于将电功率传送入所述集成电路和所述双沟道MOSFET，或用于将电信号传送入或传送出所述集成电路和所述双沟道MOSFET； 

密封绝缘树脂，其将所述引线框架、所述集成电路和所述双沟道MOSFET嵌入到组件中，并在所述组件的所述外底表面上限定出所述引线的暴露的接触表面； 

其中，第一引线被连接到所述集成电路的第一电极和一个双沟道MOSFET的栅极，第二引线被连接到所述集成电路的第二电极和另一个双沟道MOSFET的栅极，第三引线被连接到所述集成电路的第三电极和所述双沟道MOSFET之一的源极。 

10.根据权利要求9所述的多芯片无引线组件，其中，所述多个引线中除了第一、第二、第三、第四引线之外的一个或多个其它引线被分别连接到所述集成电路的所述多个电极中除了第一、第二、第三、第四电极之外的相应的一个或多个其它电极。 

11.根据权利要求9所述的多芯片无引线组件，其中，所述引线框架具有一个或多个半蚀刻的焊垫，每个焊垫用于接纳以倒装法安装的MOSFET。 

12.根据权利要求9所述的多芯片无引线组件，其中，所述集成电路包括一个或多个凸起表面，所述凸起表面用于附着于所述引线框架的引线。 

13.根据权利要求9所述的多芯片无引线组件，其中，所述引线框架是半蚀刻的。 

14.根据权利要求9所述的多芯片无引线组件，进一步包括夹片，所述夹片附着于所述双沟道MOSFET的漏极。