[实用新型]一种新型ITO导电膜结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种新型ITO导电膜结构，属于电子显示行业内一种柔性导电薄膜，尤其涉及触摸屏行业内一种提高导电线路精度的新型ITO导电薄膜。

背景技术

    目前触摸屏制作流程包括显示区域蚀刻所需图形及显示区域边缘印刷油墨，印刷油墨用于掩盖触摸屏制作工艺流程中Ag线路印刷形成的导线，Ag导电线路连接ITO感应层与触控IC电路并实现被粘材料的导电连接.目前导电银胶已广泛应用于液晶显示屏（LCD）、发光二极管（LED）、集成电路(IC)芯片、印刷线路板组件(PCBA)、点阵块、陶瓷电容、薄膜开关、智能卡、射频识别等电子元件和组件的封装和粘接。

触摸屏制作Ag线路印刷形成的导线线宽范围在80μm-200μm之间，由于线宽较宽，使得线路密集性差，分辨率低，直接导致触摸屏幕边框（印油墨区域）宽度较宽，使得整个触摸屏显示区域使用率降低，外观变差。

发明内容

为了克服上述缺陷，本实用新型的目的在于降低触摸屏导电线路线宽，提高导电线路精细度，降低触摸屏幕边框油墨区域宽度。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种新型ITO导电膜结构，该导电膜结构自下而上依次设置有基材、粘接层、透明导电层、金属层、保护层。

所述基材为光学级PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯或带加硬层光学级PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯。

所述粘接层为SiO2或SiO2 与SiO混合物。用于增加透明导电层与基材附着力。

所述透明导电层为ITO膜层。

所述金属层为金属铜膜层。用于蚀刻形成导电线路。

所述保护层为金属铜镍钛合金膜层。用于保护铜膜层，防止氧化。

本实用新型与现有技术相比有如下技术优点：

本实用新型与现有技术相比具有线宽明显减小，避免了由于丝网印刷引起粘连等不良，提高产品良率与产能。

附图说明

 图1为本实用新型的结构示意图。

1- 基材； 2-粘接层； 3- 透明导电层； 4 -金属层 ；5 -保护层。

图2 触摸屏结构示意图。

6 -触摸屏显示区域 ；7- 触摸屏边框。

具体实施方式

下面结合附图1、2对本实用新型进行详细描述：

为了详细叙述本实用新型专利的上述特点，优势和工作原理，下面结合说明书附图1和具体实施方式对本实用新型做进一步的说明，但本实用新型所保护的范围并不局限于此。

一种新型ITO导电膜结构，该导电膜结构自下而上依次设置有基材1、粘接层2、透明导电层3、金属层4、保护层5。

所述基材1为光学级PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯或带加硬层光学级PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯。

所述粘接层2为SiO2或SiO2 与SiO混合物。

所述透明导电层3为ITO膜层。

所述金属层4为金属铜膜层。

所述保护层5为金属铜镍钛合金膜层。

镀制方式采用真空卷绕镀膜方式，优先选择磁控溅射卷绕镀膜方式，所述基材为光学级PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯,polyethylene terephthalate)或带加硬层光学级PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯,polyethylene terephthalate)，折射率范围为1.4---1.7，靶基距（基材与溅射电源）为100mm，粘接层为SiO2或SiO2 与SiO混合物，氧气流量范围：20sccm-200sccm，氩气流量范围：20sccm-500sccm，膜层厚度范围10nm-100nm； 透明导电层为ITO膜层，氧气流量范围：20sccm-200sccm，氩气流量范围：20sccm-500sccm，膜层厚度范围10nm-50nm；

ITO膜层镀制完成后进入老化线结晶，老化条件：150℃/30min;;

ITO膜层结晶后镀制金属铜膜层，膜层厚度范围50nm-200nm；用于蚀刻形成导电线路；保护层为金属铜镍钛合金膜层，膜层厚度范围10nm-50nm。

以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本专利的保护范围应以所附权利要求为准。